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GSI TECHNOLOGY GS88237BB/D-xxxV 数据手册

该数据表格为GS88237BB/D-xxxV 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM的规格表，主要包含了该产品的特性参数，如：工作电压、工作温度、封装类型等。

GSI GS72108TP/J 256K x 8 2Mb Asynchronous SRAM 8, 10, 12, 15 ns 3.3 V VDD Center VDD and VSS

GS72108TP/J 256K x 8 2Mb Asynchronous SRAM 8, 10, 12, 15 ns 3.3 V VDD Center VDD and VSS SOJ, TSOP Commercial Temp Industrial Temp, 速度快, 低功耗, 3.3V 单电源, TTL 兼容

GSI TECHNOLOGY GS8320EV18/32/36T-250/225/200/166/150/133 数据手册

GS8320EV18/32/36T是GSI Technology公司生产的一款高速同步SRAM存储器，具有2位突发地址计数器，可用于DSP主存储器、网络芯片组支持等应用场合。

GSI TECHNOLOGY GS88237BB/D-333/300/250/200 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM

GS88237BB/D是一款9Mb SCD/DCD同步突发SRAM，具有256K x 36的存储容量，工作频率范围为333 MHz至200 MHz，支持2.5 V或3.3 V的电压供应。它具有单/双周期去选功能，IEEE 1149.1兼容边界扫描，可选择高/低输出驱动模式，适用于线性或交错突发模式，具有自动掉电功能等。

GSI TECHNOLOGY GS71108TP/J/SJ/U 说明书

该文件包含了关于某产品的特点和特性，以及相关的使用指南和规格说明。

GSI TECHNOLOGY GS842Z18/36AB-180/166/150/100 说明书

GSI Technology 4Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs are available in 256K x 18 and 128K x 36 configurations. They feature user configurable Pipeline and Flow Through mode, NBT (No Bus Turn Around) functionality, and fully pin compatibility with both pipelined and flow through NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ SRAMs.

GSI TECHNOLOGY GS840Z18/36AT-180/166/150/100 4Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs 数据手册

GS840Z18/36AT-180/166/150/100是GSI Technology公司发布的一款4Mb Synchronous Static SRAM，特点是支持No Bus Turn Around，可以实现zero wait read-write-read bus utilization。

GSI TECHNOLOGY GS84018/32/36AT/B-190/180/166/150/100 4Mb Sync Burst SRAMs 数据手册

GS84018/32/36AT/B-190/180/166/150/100是GSI Technology公司推出的一款4Mb同步突发SRAM，工作频率为190 MHz–100 MHz，核心电源为3.3 V VDD，I/O电源为3.3 V和2.5 V，封装形式为TQFP和BGA。

GSI TECHNOLOGY GS816018/32/36BT-250/200/150 数据手册

GS816018/32/36BT-250/200/150是GSI Technology生产的一款高性能同步SRAM，具有2位突发地址计数器。该器件最初是为支持高性能CPU的Level 2 Cache应用而开发的，但现在已被广泛应用于同步SRAM应用中，包括DSP主存储器和网络芯片组支持。该器件具有2.5 V或3.3 V +10%/–10%核心电源、2.5 V或3.3 V I/O电源、Byte Write (BW)和/或Global Write (GW)操作、内部自定时写周期和自动电源关闭功能。