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BSI BS616LV2017 Data Sheet

该文件介绍了BS616LV2017 128K X 16 bit 存储器的特点特性，包括电源电压、工作电流、访问时间等

BSI Very Low Power/Voltage CMOS SRAM BS616LV1622 说明书

BS616LV1622是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织方式为1,048,676字节×16位或2,097,152字节×8位，由CIO引脚选择，工作范围为2.4V至5.5V电源电压。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗功能，典型的CMOS待机电流为3.0uA，在3V/25oC时，最大访问时间为55ns，在3V/85oC时。该器件提供三个控制输入和三个状态输出驱动器，便于内存扩展。BS616LV1622具有自动电源关闭功能，当芯片被取消选择时，显著降低功耗。BS616LV1622采用48引脚12mmx20mm TSOP1封装。

BSI BS616LV4017 DATA SHEET

BS616LV4017是一款高性能、低功耗的256K×16位CMOS静态随机存储器。该器件采用16位地址线和16位数据线，支持55ns和70ns的访问时间，可在2.4V～5.5V电源电压下工作，工作温度范围为-40℃～+85℃。

BSI BS616LV1010 说明书

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BSI BS62LV256 说明书

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BSI (BRILLIANCE SEMICONDUCTOR) - Very Low Power CMOS SRAM 2M X 8 bit BS62LV1600 R0201-BS62LV1600 Revision 2.2 Jan 说明书

BS62LV1600是富士通推出的一款低功耗CMOS SRAM，工作电压范围为2.4V~5.5V，最大静态电流为1.5uA，最大读写时间为55ns

BSI BS62LV2006 Very Low Power CMOS SRAM 数据手册

BS62LV2006是一款高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有广泛的工作电压范围和高速访问时间。它采用先进的CMOS技术和电路技术，提供了高速和低功耗的特性。

BSI BH62UV8001 Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 数据手册

BH62UV8001是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576位x 8位，并在1.65V至3.6V电源电压范围内运行。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗特性，典型工作电流为1.5mA，1MHz，3.6V/25OC，最大访问时间为55ns，1.65V/85OC。通过活动低电平片选(CE1)、活动高电平片选(CE2)和活动低电平输出使能(OE)以及三态输出驱动器提供简单的存储器扩展。BH62UV8001具有自动电源关闭功能，当芯片未被选中时，可显著降低功耗。BH62UV8001提供DICE形式和48球BGA封装。

BSI BS616LV8016 Data Sheet

BS616LV8016 是 512K x 16 位的低功耗 CMOS SRAM。具有 2.4V ~ 5.5V 宽电源范围、0.8uA 的典型待机电流、55ns 的最大访问时间和自动电源关闭功能