BSI Very Low Power/Voltage CMOS SRAM BS616LV1622 说明书

BS616LV1622是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取存储器,组织方式为1,048,676字节×16位或2,097,152字节×8位,由CIO引脚选择,工作范围为2.4V至5.5V电源电压。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗功能,典型的CMOS待机电流为3.0uA,在3V/25oC时,最大访问时间为55ns,在3V/85oC时。该器件提供三个控制输入和三个状态输出驱动器,便于内存扩展。BS616LV1622具有自动电源关闭功能,当芯片被取消选择时,显著降低功耗。BS616LV1622采用48引脚12mmx20mm TSOP1封装。


品牌
BSI
文件格式
PDF
发布时间
2012年5月4日
更新时间
2023年9月30日
MD5 校验值
2194AEBCA03BB494A49D0FD1F057F3D7
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