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BSI BS616LV1611 DATA SHEET

BS616LV1611是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取内存，组织形式为1,048,576字节，16位，工作电压范围为2.4V至5.5V。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗特性，典型CMOS待机电流为3.0uA，3V/25oC，最大访问时间为55ns，3.0V/85oC。通过活动低电平片选(CE1)、活动高电平片选(CE2)、活动低电平输出使能(OE)和三态输出驱动器，可实现简便的内存扩展。BS616LV1611具有自动电源关断功能，当芯片被取消选择时，电源消耗大大降低。BS616LV1611采用48针BGA封装。

BSI BS616L1011 DATA SHEET

很低功耗/电压 CMOS SRAM 64K x 16 位 产品具有宽的 Vcc 操作电压范围 (2.4 V 到 5.5 V)、很低的功耗、高速度访问时间和自动电源关断功能。

BSI BS62LV4006 Data Sheet

BS62LV4006是一款高性能、低功耗CMOS静态随机存储器，具有524,288字节*8位组织，并在2.4V至5.5V的电源电压范围内工作。先进的CMOS技术和电路技术提供了高速度和低功耗特性，典型的CMOS待机电流为0.45uA，工作电压为3.0V/25oC，最大访问时间为55ns，工作电压为3.0V/85oC。通过活动低片选(CE)、活动低输出使能(OE)和三态输出驱动器，提供了简单的内存扩展。BS62LV4006具有自动电源关闭功能，在片选时，电源消耗显著降低。BS62LV4006采用JEDEC标准32L SOP、TSOP、PDIP、TSOP II和STSOP封装。

BSI BS616LV2019 Data Sheet

该数据手册提供了BS616LV2019的特点和特性，包括工作电压范围、功耗、访问时间等。

BSI BS616L1615 DATA SHEET

BS616LV1615是一款高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有1,048,576个16位字的组织结构，供电电压范围为4.5V至5.5V。采用先进的CMOS技术和电路技术，具有高速和低功耗特性，典型CMOS待机电流为15uA，最大存取时间为55ns。通过一个低电平芯片使能信号(CE1)、一个高电平芯片使能信号(CE2)、一个低电平输出使能信号(OE)和三态输出驱动器，提供了简单的内存扩展功能。BS616LV1615具有自动断电功能，在取消选择芯片时可以显著降低功耗。BS616LV1615提供48引脚BGA封装。

BSI BS62UV2006 Data Sheet

该文档介绍了一款名为BS62UV2006的高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有宽电压操作范围、超低功耗、高速访问时间、自动断电等特点。

BSI BS62UV1027 说明书

BS62UV1027是一款高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有广泛的工作电压范围和高速访问时间。该产品具有自动断电功能，在芯片取消选择时可以显著降低功耗。

BSI BS62LV2006 说明书

BS62LV2006 是一款高性能、超低功耗 CMOS 静态随机访问存储器，组织为 262,144 字节 x 8 位，并在 2.4V 至 5.5V 的宽电源电压范围内工作。先进的 CMOS 技术和电路技术同时提供高速度和低功耗特性，典型 CMOS 待机电流为 0.3uA 在 3.0V/25oC 和最大访问时间为 55ns 在 3.0V/85oC。通过活动低片选 (CE1)、活动高片选 (CE2) 和活动低输出使能 (OE) 以及三态输出驱动器提供简便的内存扩展。BS62LV2006 具有自动电源关闭功能，在片选时显著降低功耗。BS62LV2006 提供 DICE 形式、JEDEC 标准 32 针 450mil 塑料 SOP、8mm x 13.4mm STSOP 和 16mm x 16mm TSSOP 封装。

BSI BS62LV1029 Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit 数据手册

BS62LV1029 是非常低功耗/电压 CMOS SRAM，128K x 8 位，工作电压范围为 4.5V ~ 5.5V，具有超低功耗，最高可达 0.6uA（典型）的 CMOS 待机电流，以及高达 55ns（最快）的访问时间。

BSI BS62LV1027 Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit 数据手册

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BSI BS62LV1023 DATA SHEET

BS62LV1023是高性能、超低功耗CMOS静态随机存取存储器，采用131,072字节x 8位阵列组织，可在2.4V至3.6V电源电压范围内工作。

BSI BS62LV2008 Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit

R0201-BS62LV2008修订版1.1，是一款非常低功耗/电压的CMOS SRAM，具有256K x 8位的容量。该产品的特点包括操作电压范围为4.5V至5.5V，非常低的功耗，以及高速存取时间等。它还具有自动断电、三态输出和与TTL兼容等功能。

BSI BS616LV1611 Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit

BS616LV1611是一款高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，采用1,048,576字x 16位的组织结构，工作电压范围为2.4V至5.5V。先进的CMOS技术和电路技术提供了高速和低功耗特性，具有典型的CMOS待机电流为3.0uA（3V / 25oC）和最大存取时间为55ns（3.0V / 85oC）。通过一个低电平芯片使能（CE1）、高电平芯片使能（CE2）、低电平输出使能（OE）和三态输出驱动器，可以轻松扩展存储器容量。BS616LV1611具有自动休眠功能，在取消选择芯片时可以显著降低功耗。BS616LV1611采用48引脚BGA封装。

BSI BS616LV2013 Data Sheet

BS616LV2013是一款高性能，超低功耗CMOS静态随机存储器，可在2.4V至3.6V宽电压范围内工作。高级CMOS技术和电路技术提供了高速度和低功耗功能，典型的CMOS待机电流为0.1uA，最大访问时间为3V操作中的70/100ns。通过活动低片选(CE)、活动低输出使能(OE)和三态输出驱动器提供简易存储器扩展。BS616LV2013具有自动待机功能，当芯片未选中时，可显着降低功耗。BS616LV2013提供DICE形式、JEDEC标准44针TSOP Type II封装、JEDEC标准48针TSOP Type I封装和48球BGA封装。

BSI BS62UV2006 Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit

该产品是256K x 8位超低功耗/电压CMOS SRAM，宽电压范围，超低功耗，高速度读写，自动电源关闭功能，三态输出，TTL兼容，全静态工作。