SAMSUNG M470L1714BT0 DATA SHEET 200pin DDR SDRAM SODIMM M470L1714BT0是三星生产的16Mbit x 64 Double Data Rate SDRAM高密度内存模块，基于128Mb DDR SDRAM第一代。
三星 KM681002C/CL, KM681002CI/CLI 数据手册 该文档是关于SAMSUNG电子公司生产的128Kx8位高速CMOS静态RAM的规格说明书。这种RAM适用于商业和工业温度范围。它具有快速访问时间、低功耗、单一5.0V±10%电源供应、TTL兼容的输入和输出等特点。
SAMSUNG 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA K4M51323LE - M(E)C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 数据手册 K4M51323LE是一种同步高数据率动态RAM，具有4个银行操作、CAS延迟、突发长度、突发类型等特性。
Samsung KMM5364005CSW/CSWG Data Sheet KMM5364005CSW/CSWG 4Byte 4Mx36 SIMM是Samsung公司生产的4Mx36bits Dynamic RAM高密度内存模块，由两颗CMOS 4Mx16bits和一颗CMOS Quad CAS 4Mx4bits DRAMs组成，使用TSOP封装，安装于72-pin玻璃环氧基板上，每个DRAM都安装有0.1或0.22uF的去耦电容，KMM5364005C是带有边缘连接的单线内存模块，用于安装到72针边缘连接器插槽中。
三星 KMM5364003BSW/BSWG 数据手册 KMM5364003BSW/BSWG是三星生产的4Mx36bits动态随机存储器(DRAM)高密度存储模块，该模块由两个CMOS 4Mx16位和一个CMOS Quad CAS 4Mx4位DRAMs在TSOP包装中组成，安装在一个72针玻璃环氧基板上。每个DRAM上都安装了一个0.1或0.22uF去耦电容器。KMM5364003B是带有边缘连接的单个内存模块，用于安装在72针边缘连接器插座中。
三星 KMM53216000BK/BKG 说明书 该文件介绍了三星KMM53216000B高密度内存模块的特点和特性，包括16Mx32位动态RAM、快页模式操作、CAS-before-RAS和隐藏刷新功能等。
三星 KM681002A, KM681002AI 数据手册 这是一份关于KM681002A和KM681002AI CMOS SRAM的初步版本数据表。该产品是128Kx8高速静态RAM，工作电压为5V，具有革命性的引脚布局，可在商业和工业温度范围内运行。
Samsung S3C7524/C7528/P7528/C7534/C7538/P7538 Data Sheet S3C7524/C7528/P7528/C7534/C7538/P7538是三星高性能的单片CMOS微控制器，基于SAM 47（Samsung Arrangeable Microcontrollers）构建。该产品的特点包括低功耗、低工作电压，ROM大小可选4K或8K字节。
Samsung PC133/PC100 SODIMM Data Sheet M464S3254DTS是三星公司生产的一种32M位x64同步动态随机存储器高密度存储模块。它由八个CMOS 16M x 16位带4个银行的同步DRAM组成，采用TSOP-II 400mil封装，并在一个144引脚玻璃环氧基板上安装了2K EEPROM在8引脚TSSOP封装中。为每个SDRAM并联安装了三个0.1uF去耦电容。M464S3254DTS是一种小型双列直插式存储模块，旨在安装到144引脚边缘连接器插座中。同步设计允许使用系统时钟进行精确的循环控制。I/O事务可以在每个时钟周期中进行。操作频率范围、可编程延迟允许同一设备用于各种高带宽、高性能存储系统应用。
Samsung S1T8825B Data Sheet S1T8825B是一款高性能的双频率合成器，具有两个集成的高频率预分频器，可在1.3 GHz的射频操作下工作。S1T8825B由模数预分频器、无死区PFD、可选择的电荷泵电流、可选择的断电模式电路、锁定检测器输出和环路滤波器的时间常数切换组成。它采用ASP5HB双CMOS工艺制造，可提供表面安装塑料封装的16-TSSOP包装。通过三线接口（CK，DATA，EN）将串行数据传输到S1T8825B。
Samsung KM62256C Family Data Sheet KM62256C系列是三星公司采用0.7微米CMOS工艺生产的低功耗CMOS静态随机存储器（SRAM）。该系列产品支持多种工作温度范围，并具有多种封装类型，可为用户的系统设计提供灵活性。该系列产品还支持低数据保留电压，可以在低数据保留电流下进行电池备份操作。
