Samsung S1M8831A/33 Data Sheet S1M8831A/33是一款支持RF和IF频率合成的器件，支持1.2GHz的RF频率和520MHz的IF频率。它采用了∑-∆分数-N技术，可以解决其他分数-N合成器中充电泵补偿带来的分数杂散问题。该器件支持10kHz步长的PCS/CDMA频道频率编程。
三星 OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6) FLASH MEMORY 数据手册 OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)闪存是三星电子公司的产品，包含密度、型号、电源、温度、封装等信息
Samsung 128MB, 256MB SODIMM Data Sheet M470L1624FT0-C(L)B3/A2/B0 是三星推出的一款 128MB 的 DDR SDRAM SODIMM 内存条，它使用 256Mb F-die 芯片，支持 64 位和 72 位数据宽度，频率为 133MHz 和 166MHz，时序为 2.5-3-3 和 2.5-3-3。
Samsung M366S1723DTS Data Sheet Samsung M366S1723DTS PC133/PC100 Unbuffered DIMM 是一款16M 位 x 64 同步动态随机存储器高密度内存模块。
SAMSUNG Electronics KS88C4616/C4632/P4632 数据手册 该文件介绍了韩国三星电子有限公司推出的KS88C4616/C4632系列单片8位CMOS微控制器的特点和特性。该系列微控制器具有快速高效的CPU、多种集成外设和可编程ROM等特点。
SAMSUNG KM416C4000C,KM416C4100C CMOS DRAM 数据手册 KM416C4000C 和 KM416C4100C 是两个 CMOS DRAM 芯片，它们都是 4Mx16 位 Fast Page Mode DRAM，具有高速随机访问内存单元的能力。它们的刷新周期（4K Ref. 或 8K Ref.）和访问时间（-5 或 -6）都是可选的，并且它们都具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。这些芯片使用 Samsung 的先进 CMOS 工艺制造，实现了高带宽、低功耗和高可靠性。
SAMSUNG K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 数据手册 K4S641633H是三星生产的一种移动内存芯片，它采用同步设计，可提供精确的时钟控制，并且支持范围广泛的操作频率、可编程突发长度和可编程延迟。它可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
SAMSUNG Electronics DDR SDRAM Specification Version 1.0 数据手册(1) 该文档是一份DDR SDRAM DDR SDRAM规范的版本历史记录，介绍了该产品的不同版本和修订内容。
SAMSUNG KM68B261A BiCMOS SRAM 数据手册 KM68B261A是一种262,144位高速静态随机存取存储器，采用32,768字8位的组织方式。该产品具有快速访问时间、低功耗待机、单一5V电源供应等特点，适用于高密度高速系统应用。
Samsung SDRAM 16Mb H-die(x16) Data Sheet K4S161622H是16,777,216位同步高数据速率动态随机存储器，组织为2 x 524,288字节，由16位组成，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期内进行。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟
SAMSUNG DEFLECTION PROCESSOR FOR MULTISYNC MONITORS KB2147 KB2147是一个单片集成电路，用于控制多模式或多同步显示器中与水平和垂直偏转相关的所有功能。它具有自适应频率范围、X射线保护输入、可调节Duty-cycle、宽范围的水平位置控制等特点。
SAMSUNG ELECTRONICS MultiMediaCard Specification 该文件是关于MultiMediaCardTM规范的介绍，介绍了该产品的版本历史以及各个版本的变化。该规范主要涉及MultiMediaCardTM的技术规格和特性，包括命令响应时间、SPI总线时序、功耗、存储芯片结构等。
