三星 KM416V4004C,KM416V4104C 数据手册 KM416V4004C,KM416V4104C CMOS DRAM 是一款4,194,304 x 16 位扩展数据输出模式 CMOS DRAM 产品，支持高带宽、低功耗和高可靠性。该产品可选项包括刷新周期（4K Ref.或8K Ref.）、访问时间（-45、-5或-6）和功耗（正常或低功耗）。所有产品均具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。此外，L 版本还支持自刷新操作。
三星 K4M56323LE - M(E)E/N/S/C/L/R 数据手册 K4M56323LE是一种同步高数据速率动态RAM，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。它具有多种特性和功能，包括LVCMOS兼容、四个银行操作、MRS循环和EMRS循环等。
三星 K4M511533E - Y(P)C/L/F 数据手册 K4M511533E - Y(P)C/L/F 是三星公司发布的一款同步高数据速率动态随机存储器，其容量为536,870,912比特，组织方式为4 x 8,388,608字节×16位，采用三星公司高性能CMOS技术制造。该器件采用同步设计，可通过使用系统时钟来精确控制周期，并且可以在每个时钟周期中进行I/O事务。该器件支持多种工作频率、可编程突发长度和可编程延迟，使其能够在各种高带宽和高性能存储系统应用中发挥作用。
三星 DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16) 数据手册 This is a technical specification document for 512Mb C-die DDR SDRAM 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
Samsung 4GB Registered DIMM Data Sheet 该文档是一份DDR SDRAM 4GB Registered DIMM的规格说明，主要介绍了产品的特性和特点，包括产品的组成、工作频率、密度、组织结构、组件成分、高度、速度等。
SAMSUNG ELECTRONICS OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6), OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6), OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6) FLASH MEMORY 数据手册 该文档介绍了三款三星OneNAND闪存产品（1GB、2GB和4GB）的规格信息
