ST AN2386数据手册 该应用笔记介绍了MOSFET阈值电压温度系数（TVTC）的计算方法。TVTC是MOSFET在线性区运行时发生热失控的主要原因之一。TVTC越小，MOSFET在线性区运行时的安全性越高。
ST AN2649 数据手册 本文介绍了一种使用MDmeshTM II和SiC二极管的功率因数校正器。通过比较传统元件和新一代超结MOSFET和SiC二极管的动态特性，分析了它们在开关性能和转换器效率方面的定性和定量改进。
ST AN2657 Application note 数据手册 本文介绍了一种用于预测LDMOS直流、小信号和大信号行为的创新verilog模型。该模型简单易懂，可以较好地描述直流、小信号S参数和大信号行为，可供设计人员在开发新应用时使用。
ST AN2844 Application note 数据手册 该文档介绍了一种基于ESBT™ STC03DE220HV和L6565 PWM控制器的15W宽范围开关电源应用。该应用是一种通用的、经济实惠的反激式变换器，用于计量应用，具有优秀的宽电压输入范围，从125VDC到1250VDC，使用ESBT作为主开关和准谐振PWM驱动器。
ST SMP100LC-xxx 数据手册 SMP100LC-xxx系列是一种低电容瞬态浪涌抑制器，专为保护高速率通信设备而设计。其低电容可以避免信号失真，并且与数字线卡(xDSL、T1/E1、ISDN)兼容。
ST AN3232 Application note 数据手册 本应用笔记主要介绍了STAC® boltdown封装的STAC244B和STAC265B（带法兰）封装和STAC244F和STAC265F（无法兰）封装的封装技术，以及这些封装在放大器或应用电路板（PCB）中的安装方法。
ST AN3267 Application note 数据手册 本应用笔记介绍了功率MOSFET栅极驱动电压对单相同步降压转换器电源管理和开关行为的影响，并通过OrCAD®仿真和台架测试结果对不同功率MOSFET栅极-源极电压对转换器效率和主电路节点波形的影响进行了详细分析。
ST AN3973 Application note 数据手册 该文档介绍了使用STD3N62K3功率MOSFET和STD845DN40 BJT器件的电子镇流器的应用。该电子镇流器具有主动功率因数校正（PFC），谐波失真（THD）和电效率方面的优化。
ST AN3994 Application note 数据手册 本文介绍了STMicroelectronics的MDmesh™ V系列超结技术，该技术在给定封装中提供了极低的RDS(on)值，无法在标准HV MOSFET中获得。此外，超结MOSFET在瞬态方面非常快速，当更高性能的技术替换旧版本时，可能会出现一些问题。本文对ST超结MOSFET系列的两个主要组成部分（MDmesh™ II和MDmesh™ V）进行了分析和比较，包括能量损耗、电压和电流率。同时还专门讨论了布局寄生效应及其对MOSFET行为的影响。最后得出结论，布局在管理非常快速的瞬态时至关重要，必须仔细规划，以帮助MOSFET发挥其最佳潜力。
