ST 说明书 - 说明书库

ST AN1316 数据手册

MDmesh™ 多沟道金属网状场效应晶体管（MOSFET）是 ST 研发的一种高电压功率 MOSFET，采用了新型的垂直沟道结构和 ST 成熟的 Mesh Overlay™ 金属网状布局。采用这种结构的 MOSFET 电阻更低，导通电压更低，耐压能力更强。

ST AN2027 数据手册

该文档提供了用于组装适用于ISM和FM广播等应用的DMOS射频晶体管的陶瓷封装的安装建议。

ST AN1889 数据手册

该文件介绍了ESBT STC03DE170HV在三相辅助电源中的应用。介绍了ESBT的理论和演变，以及该应用的特点和要求。

ST AN1485 数据手册

介绍了一种新型高压MOSFET结构，该结构在静态和动态性能方面远远超过传统的功率MOSFET器件。该器件的特殊特性对DC-DC升压转换器的影响已在一个案例中分析和量化，该DC-DC升压转换器用于功率因数校正器(PFC)转换器。讨论了对该组件的电气和热行为进行分析所得出的结果。

ST AN1387 APPLICATION NOTE 数据手册

介绍了STMicroelectronics的新型电力设备的特点，该设备融合了STMicroelectronics快速开关PowerMESH™IGBT的特点和一些新型保护功能。电力设备中集成了驱动电路，以实现过电流保护和软热关断。电流限制还确保了高短路定额的设备。此外，低阈值电压和输入电流使其能够直接从微处理器的输出引脚驱动该设备。将说明该设备的静态和动态行为，并建议使用一种应用。

ST AN1491 APPLICATION NOTE 数据手册

本文档介绍了IGBT的结构和工作原理，以及其主要静态和动态特性。此外，还对其运行行为进行了更详细的分析和讨论，以提供该功率组件的关键参数、特性和静态和动态行为的全面概述。

ST AN1506 APPLICATION NOTE 数据手册

本文件介绍了一种低压大电流功率MOSFET的设计方法，该方法采用了新的条带型结构，具有低导通电阻和优异的抗冲击能力。这种MOSFET适用于高电流低电压转换器应用。

ST AN1597 APPLICATION NOTE 数据手册

本文介绍了一种设计和制造高功率高性价比功率电子模块的创新技术，使用了高性能高性价比的IGBT组装在塑料封装中。该技术允许在功率处理、可靠性和成本方面优化功率开关设备和转换器。这种设计非常适合汽车应用所需的大规模生产。

ST AN1731 APPLICATION NOTE 数据手册

本文介绍了应用于紧急照明的拓扑结构以及STMicroelectronics的功率双极晶体管的使用。STSA851是一种功率双极晶体管，具有高增益性能和低饱和电压。它适用于紧急灯的驱动电路。

ST AN1722 APPLICATION NOTE 数据手册

本技术文件介绍了如何使用集成电路TSM108、PNP功率双极型晶体管STN790A、或P通道功率MOSFET STS3DPFS30、NPN功率双极型晶体管STSA1805和二极管1N5821来设计和实现CCFL应用

ST AN2048 APPLICATION NOTE 数据手册

介绍了一种新的芯片尺寸封装技术，这种技术可以使功率集成电路实现表面贴装，从而显著降低功率放大器模块的成本和体积

ST AN2050 APPLICATION NOTE 数据手册

本文件介绍了使用UC3845 PWM驱动器和STC03DE170作为主开关设计的3相辅助电源的设计结果，并发布了45W双输出SMPS演示板，广泛用于3相电机驱动应用中的辅助电源。此外，还给出了ESBT基驱动电路和一些优化功耗的指南。详细描述了寄生电容对ESBT的影响。此外，为了消除最大输入电压和最小负载时的振荡，还添加了斜坡补偿。因此，提出了理论讨论。最后，提供了输出短路保护功能的实现方法。

该文件为SMP100MC TRISIL™数据手册，介绍了该产品的特点特性。产品是针对通信设备的保护设备，具有双向crowbar保护、电压范围从120V到270V、低VBO / VR比率、微电容从20pF到30pF @ 50V、低漏电流IR = 2µA最大、保持电流IH = 150 mA最小、重复峰值脉冲电流IPP = 100 A（10/1000µs）等特点。主要应用于任何需要防止雷击和电源交叉的敏感设备。这些设备专用于中央办公室保护，因为它们符合最严格的标准。他们的微电容使它们适合ADSL2+和低端VDSL。

ST SMP100LC-xxx 数据手册(1)

SMP100LC-xxx系列是一种非常低电容的瞬态浪涌阻挡器，用于保护高速通信设备，具有低电容、低泄漏电流、双向浪涌保护等特点。

ST AN2385 数据手册

本文介绍了现代功率MOSFET器件的重要参数，包括功耗及其线性降额因子、硅限制漏极电流和脉冲漏极电流。文档解释了这些参数是什么以及如何计算，对于客户理解和阅读功率MOSFET数据手册有很大帮助。