ST M74HC133 13 INPUT NAND GATE 数据手册 该文件介绍了M74HC133高速CMOS 13输入NAND门的特点和特性。它具有高速、低功耗、高噪声抗干扰能力、对称输出阻抗、平衡传播延迟和宽工作电压范围等特点。
ST M74HC132 QUAD 2-INPUT SCHMITT NAND GATE 数据手册 M74HC132是CMOS四输入施密特NAND门，具有高速度、低功耗、高噪声免疫、对称输出阻抗、平衡传播延迟和宽工作电压范围等特点。
ST M74HC125 QUAD BUS BUFFER (3-STATE) 数据手册 该文档介绍了M74HC125这款高速CMOS四路缓冲器的特点和特性，包括高速传输、低功耗、高噪声抗干扰能力、对称输出阻抗、平衡传播延迟和广泛的工作电压范围等。
ST M74HC123 DUAL RETRIGGERABLE MONOSTABLE MULTIVIBRATOR 数据手册 M74HC123是高速度 CMOS 单稳态多谐振器，采用硅栅 C2MOS 技术制造。
ST M74HC109 DUAL J-K FLIP FLOP WITH PRESET AND CLEAR 数据手册 M74HC109是高速CMOS双J-K触发器，具有预置和清除功能，采用硅栅C2MOS技术制造。根据J和K输入端的逻辑电平，该器件在时钟脉冲的正向过渡时会改变状态。清除和预置与时钟无关，由相应的输入端的逻辑低电平来实现。所有输入端都配备了防静电放电和过电压保护电路。
ST M74HC08 QUAD 2-INPUT AND GATE 数据手册 M74HC08是高速度CMOS QUAD 2-输入与门，采用硅门C2MOS技术制造。内部电路由2个阶段组成，包括缓冲输出，可实现高噪声免疫性和稳定的输出。所有输入均配备保护电路，以防静电放电和瞬时过电压。
ST M74HC04 HEX INVERTER 数据手册 M74HC04是高速度CMOS六反相器，采用硅栅C2MOS技术制造，内部电路由3个阶段组成，包括缓冲输出，能够实现高噪声免疫和稳定的输出。所有输入都配备了保护电路，以防止静电放电和瞬态过电压。
ST M74HC03 QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 数据手册 M74HC03是高压CMOS四个输入开漏Nand门，具有高噪声免疫性和稳定的输出。该器件可以与外部拉高电阻一起，用于有线AND配置。该器件也可以用作LED驱动器和其他需要电流源的应用。所有输入都配备了保护电路，以防静电放电和瞬态过电压。
ST M74HC02 QUAD 2-INPUT NOR GATE 数据手册 M74HC02是高性能CMOS四路2输入NOR门，采用硅栅C2MOS工艺制造，内部电路由3级缓冲输出组成，具有高噪声免疫性和稳定的输出。所有输入都配备了保护电路，防止静电放电和瞬态过压。
ST M74HC00 QUAD 2-INPUT NAND GATE 数据手册 M74HC00是高速度 CMOS 四个 2 输入 NAND 门，采用硅栅 C2MOS 技术制造。内部电路包括 3 个阶段，包括缓冲输出，从而实现高噪声免疫性和稳定输出。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。
ST L6660 数据手册 该文件介绍了一种使用混合技术的90V BCD SO24塑料SMD封装的压电致动器驱动器。它具有可选择的输出电压范围，输出斜率控制和自限流功能，适用于低电磁干扰。它还具有多种驱动模式和双运算放大器，适用于0.4nF到24nF的负载。此外，它还包括模拟电压偏移电路、内部2.5V电压参考和省电睡眠模式。
