ST M74HC373 数据手册 M74HC373是一种高性能的CMOS八位D型锁存器，具有3态输出。其工作电压范围为2V至6V，输出电流IOH和IOL均为6mA，输入电压VNIH和VNIL均为28%VCC。
ST M74HC367 数据手册 M74HC367是一种高速CMOS六路总线缓冲器，采用硅门C2MOS技术制造。该器件包含六个缓冲器，其中四个缓冲器由一个使能输入(G1)控制，另外两个缓冲器由另一个使能输入(G2)控制；当G1和/或G2输入保持低电平时，每个缓冲器组的输出被使能，当输入保持高电平时，这些输出处于高阻态。所有输入都配有静电放电和瞬态过电压保护电路。
ST M74HC32 数据手册 M74HC32 是高速度CMOS四路双输入或门，采用硅栅C2MOS技术制造，内部电路由2级包括缓冲输出电路组成，可实现高噪声免疫和稳定输出。所有输入都配备了保护电路，防止静电放电和瞬时过压。
ST M74HC299 数据手册 M74HC299是8位PIPO移位寄存器(3状态),工作频率高(fMAX=80MHz)，功耗低(ICC=4µA),抗干扰能力强(VNIH=VNIL=28%VCC)，输出阻抗均衡(|IOH|=IOL=6mA(MIN)FORQA’TOQH’|IOH|=IOL=4mA(MIN)FORQATOH)，传播延迟平衡(tPLH≅tPHL)，工作电压范围宽(VCC(OPR)=2Vto6V)，引脚兼容74系列299。
ST M74HC273 数据手册 M74HC273是高速度CMOS八路D型触发器，具有清除功能。信息信号施加到D输入端，在时钟脉冲的正向上升沿时被传输到Q输出端。当清除输入端被保持在低电平时，Q输出端独立于其它输入端处于低逻辑电平。所有输入端都配有保护电路，以防止静电放电和瞬态过电压。
ST M74HC27 数据手册 M74HC27是高速度CMOS三重3输入NOR门，采用硅栅C2MOS技术制造。内部电路由3个级包括缓冲输出组成，可实现高噪声免疫力和稳定输出。所有输入都配备了防静电放电和过电压瞬变保护电路。
ST M74HC259 数据手册 M74HC259是M74HC系列的8位可寻址锁存器，采用硅栅C2MOS工艺制造，工作电压范围为2V到6V，具有高速度、低功耗、高噪声免疫、对称输出阻抗、平衡传播延迟等特点
ST M74HC245 数据手册 M74HC245是一种先进的高速CMOS八位总线收发器(三态)，采用硅门C2MOS技术制造。该IC用于数据总线之间的双向异步通信，数据传输方向由DIR输入确定。使能输入G可用于禁用设备，以有效隔离总线。所有输入都配备了静电放电和瞬态过电压保护电路。在高阻态下，所有浮动总线端子必须保持高电平或低电平。
