FAIRCHILD Assembly Guidelines for Asymmetric Dual Power33 Packaging 数据手册 该文件介绍了Fairchild Dual Power33封装的装配指南，该封装采用Molded Leadless Packaging（MLP）技术，具有低封装高度和出色的热性能，带有大型热垫，可直接焊接到印刷电路板（PWB）上。
FAIRCHILD Assembly Guidelines for MicroFET 1.6x1.6mm Packaging 数据手册 该应用笔记介绍了MicroFET 1.6x1.6的封装技术，包括MLP技术、封装设计、安装工艺等
FAIRCHILD GreenBridge to Replace Conventional Diode Bridge in Power Over Ethernet Applications 数据手册 Fairchild 的 GreenBridge 解决方案可在 PoE 系统中降低桥接电路的功耗，从而获得高效且经济的 PoE 系统。
FAIRCHILD Guidelines for Using Fairchilds Power56 数据手册 该手册介绍了Power56 MOSFET的使用方法，包括安装技术和电路设计，该MOSFET具有小型化、高性能、低功耗的特点
FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) 本文件介绍了一种精确描绘垂直DMOS功率MOSFET的热和电气特性的经验自加热SPICE MOSFET模型。
FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) 本文档描述了一种自加热 SPICE MOSFET 模型，该模型能够准确地描述垂直 DMOS 功率 MOSFET 的电气和热响应。该宏模型实现是 MOSFET 建模多年发展的成果。这种新的版本汇集了 VDMOS MOSFET 的热模型和电气模型。现有的电气模型 [2,3] 具有高度的准确性，并得到了业界的认可。本文描述了使用参数数据进行模型校准过程的顺序。新的自加热 MOSFET 模型的模拟响应跟踪动态热响应，并且独立于 SPICE 的全球温度定义。
FAIRCHILD AN-9034 Power MOSFET Avalanche Guideline 数据手册 本文介绍了功率MOSFET作为开关器件在开关电源和DC-DC转换器中的应用。它们的操作频率不断增加，以减小尺寸，增加功率密度。这导致高di/dt，并加剧寄生电感的负面影响，在器件关断期间导致功率MOSFET漏极和源极之间的高电压尖峰。幸运的是，功率MOSFET配备了一定程度的耐压能力，不需要昂贵的保护电路。
FAIRCHILD AN7004 Power Converter Topology and MOSFET Selection for 48-V Telecom Applications 数据手册 这份应用笔记提供了有关如何在48V电源转换器中选择主回路MOSFET的信息。介绍了不同类型的48V电源转换器的基本拓扑结构，并提供了选择FET的详细指南。
FAIRCHILD AN1031 Considerations in Designing the Printed Circuit Boards of Embedded Switching Power Supplies 数据手册 此文档介绍了如何设计印刷电路板(PCB)，以便在开关电源中实现良好的性能。文中介绍了设计的关键规则和要点，以及如何在设计过程中避免常见的错误。
FAIRCHILD AN1028 Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs 数据手册 该文件介绍了如何最大化 SOT-223 功率 MOSFET 的功率处理能力。该文件提供了铜安装垫的最佳设计方法，以提高组件性能和电路板封装密度。
FAIRCHILD AN-9045 WLCSP Assembly Guidelines 数据手册 该文档介绍了Wafer level chip scale packaging (WLCSP)技术的特点和优势，以及Fairchild Semiconductor WLCSP组件的制造过程优化建议。
FAIRCHILD AN1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT -6 Power MOSFETs 数据手册 本文介绍了如何通过优化设计铜贴，以改善SuperSOTTM-6 Power MOSFET的功率性能。通过使用文中建议的热解决方案，用户可以充分利用Fairchild Semiconductor最新一代Power MOSFET的卓越性能特点，包括极低的导通电阻和改进的结-壳（RθJC）热阻。最终用户可以实现改善器件性能和提高电路板的集成密度。
FAIRCHILD AN-4153 Designing Asymmetric PWM Half-Bridge Converters with a Current Doubler and Synchronous Rectifier using FSFA-Series Fairchild Power Switches (FPS ) 数据手册 本设计手册介绍了使用Fairchild FSFA系列功率开关(FPSTM)构建不对称PWM半桥转换器的设计方法，该转换器使用电流倍增器和同步整流器。
