FAIRCHILD AN1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT -6 Power MOSFETs 数据手册

本文介绍了如何通过优化设计铜贴,以改善SuperSOTTM-6 Power MOSFET的功率性能。通过使用文中建议的热解决方案,用户可以充分利用Fairchild Semiconductor最新一代Power MOSFET的卓越性能特点,包括极低的导通电阻和改进的结-壳(RθJC)热阻。最终用户可以实现改善器件性能和提高电路板的集成密度。


品牌
Fairchild
文件格式
PDF
发布时间
2012年7月12日
更新时间
2023年9月28日
MD5 校验值
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