FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1)

本文档描述了一种自加热 SPICE MOSFET 模型,该模型能够准确地描述垂直 DMOS 功率 MOSFET 的电气和热响应。该宏模型实现是 MOSFET 建模多年发展的成果。这种新的版本汇集了 VDMOS MOSFET 的热模型和电气模型。现有的电气模型 [2,3] 具有高度的准确性,并得到了业界的认可。本文描述了使用参数数据进行模型校准过程的顺序。新的自加热 MOSFET 模型的模拟响应跟踪动态热响应,并且独立于 SPICE 的全球温度定义。


品牌
Fairchild
文件格式
PDF
发布时间
2012年7月12日
更新时间
2023年9月30日
MD5 校验值
F6F7CCD50B4EBE72F28A483CFCEE901F
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