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FAIRCHILD NZT660/NZT660A PNP Low Saturation Transistor 数据手册

NZT660/NZT660A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP低饱和晶体管。这款晶体管的集电极电流可达3A，具有高电流增益和低饱和电压。

NZT651是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN功率驱动晶体管，其最大集电极-发射极电压为60V，最大集电极-基极电压为80V，最大发射极-基极电压为5.0V，最大集电极电流为4.0A，工作温度范围为-55至+150°C。

NZT560/NZT560A是一种NPN型低饱和电晕晶体管，具有高电流增益和低饱和电压，连续集电流可达3A。

MPS751是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款硅PNP晶体管。其最大集电极-发射极电压为-60V，最大集电极电流为2A，最大集电极功耗为625mW。其封装为SOT-223。

这份文件介绍了四个通用放大器，可以用于集电极电流为10微安到100毫安的开关。当空间是主要考虑因素时，这些器件最适合使用。来自23和66工艺。请参阅2N3904（NPN）和2N3906（PNP）的特性。

该文档介绍了MMPQ2907型号的参数和特性，包括电压、电流、温度范围等。该器件设计用于一般用途放大器和开关，需要集电极电流高达500mA。

MMPQ2222是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款三极管，其最大额定电流为500mA，最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极-基极电压为60V，最大发射极-基极电压为5.0V。

该文件是关于MPSA55系列产品的参数信息，包括电压、电流、功率、温度等

MPS6515/MMBT6515是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双极结型三极管

该数据表列出了MMBT6428的绝对最大额定值和电气特性。

该文件介绍了2N5962/MMBT5962这款离散功率和信号技术的NPN通用放大器的特点和特性，适用于低噪声、高增益、需要最大集电极电流为50mA的通用放大器。其最大额定工作温度为150摄氏度。

该文件介绍了2N5771和MMBT5771 PNP开关晶体管的特点和特性，设计用于高速饱和开关，最大集电极电流为100mA。

该文件介绍了MMBT5550型号的NPN通用放大器的特点和特性，适用于高压放大器和气体放电显示驱动器。

MMBT5401是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种NPN型晶体管，其最大集电极-发射极电压为-150V，最大集电极-基极电压为-160V，最大发射极-基极电压为-5.0V，最大集电流为-600mA，工作温度范围为-55~150℃。

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的2N5086/2N5087/MMBT5087产品的绝对最大额定值和电气特性。其中包括各种电压、电流和温度的极限值，以及开关特性和放大特性等。

2N4400 / MMBT4400 是NPN通用放大器，可用于需要发射极电流达500 mA的通用放大器和开关

本文件为MMBT4354数据手册，介绍了该产品的最大工作电压、电流、温度等特性

2N4126 MMBT4126 PNP General Purpose Amplifier，这是一款设计用于通用放大器和开关应用的PNP晶体管，其特点是集成度高、成本低、功耗低。

2N4124 MMBT4124 NPN 通用放大器该设备被设计为通用放大器和开关。开关的有效动态范围可扩展到 100mA，放大器可扩展到 100 MHz。

本文介绍了如何通过优化铜安装垫片的设计来提高SuperSOTTM-3 Power MOSFET的功率处理能力。这种设计可以减少热阻，提高功率性能。