FAIRCHILD FJX733 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件介绍了FJX733 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性，包括电压、电流、功率等参数。该晶体管适用于低频放大器应用。
FAIRCHILD FJX3906 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 本文档介绍了FJX3906 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它提供了集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电流、集电功耗和存储温度的最大额定值。此外，还提供了集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、电流增益带宽积、输出电容、噪声系数、开启时间和关闭时间的电气特性。
FAIRCHILD FJX3904 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJX3904是一款NPN外延硅晶体管，用于通用目的。它具有60V的集电极-基极电压，40V的集电极-发射极电压和6V的发射极-基极电压。它还具有200mA的集电极电流和350mW的集电极功耗。
FAIRCHILD FJX2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJX2907A是Fairchild Semiconductor生产的PNP型三极管，其最大集电极-发射极电压为-60V，最大集电极-基极电压为-60V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-600mA，最大集电极功耗为325mW，最大存储温度为150°C。
FAIRCHILD FJX2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 FJX2222A — NPN Epitaxial Silicon Transistor 是 Fairchild Semiconductor 生产的 600 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor，最大集电极-发射极电压为 40V，最大集电极功耗为 325 mW。
FAIRCHILD FJX1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJX1182是Fairchild Semiconductor Corporation生产的低频功率放大器，其最大集电极-基极电压为-35V，最大集电极-发射极电压为-30V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电流为-500mA，最大集电极功耗为150mW，最大结温为150°C，存储温度范围为-55~150°C。
FAIRCHILD FJV992 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJV992是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为-120V，最大集电极-基极电压为-120V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-50mA，最大集电极功耗为300mW，最大结温为150°C，最大储存温度为-55~150°C。
FAIRCHILD FJV42 NPN High Voltage Transistor 数据手册 FJV42是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN高压晶体管，其最大集电极-发射极电压为350V，最大集电极-发射极电流为500mA，最大集电极-基极电流为100uA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极功率耗散为350mW。
FAIRCHILD FJV1845 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文档介绍了FJV1845 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管具有高达120V的集电极-基极电压和集电极-发射极电压，最大集电极电流为50mA。此外，该晶体管具有高增益和低饱和电压。
FAIRCHILD FJT44 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJT44是高压NPN型晶体管，其特点是：1、集电极-发射极电压范围为400V；2、集电极-发射极电流范围为300mA；3、工作温度范围为-55至+150°C。
FAIRCHILD FJMA790 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJMA790是一款PNP外延硅晶体管，适用于便携式应用中的负载管理，具有高集电极电流和低集电极-发射极饱和电压。
FAIRCHILD MMBT3906SL PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 本文介绍了MMBT3906SL PNP外延硅晶体管的特点和特性，适用于一般放大和开关应用，尤其适用于便携式设备。建议与互补型号NPN MMBT3904SL配套使用。
FAIRCHILD MMBT3904T NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 MMBT3904T是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型晶体管，适用于一般放大、开关和放大应用。
FAIRCHILD MMBT3904SL NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 MMBT3904SL是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型三极管，适用于一般开关和放大，最大封装高度0.43mm，可做为PNP MMBT3906SL的互补型
FAIRCHILD MMBT3646 Switching Transistor 数据手册 MMBT3646是Fairchild Semiconductor制造的一种双极结型晶体管。该晶体管具有15 V的VCEO、40 V的VCES、40 V的VCBO和5 V的VEBO。它可以承受的最大电流为300 mA，最大功率为625 mW。该晶体管的额定工作温度为150°C。
FAIRCHILD PN2484/MMBT2484 NPN General Purpose Amplifier 数据手册 PN2484/MMBT2484是Fairchild生产的一款NPN型通用放大器，适用于从1µA到50mA的电流范围，具有低噪声和高增益的特点。
