FAIRCHILD KSP44/45 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP44/45是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型高压晶体管，其最大集电极-发射极电压可达400V，最大集电极-基极电压可达500V，最大发射极-基极电压为6V。
FAIRCHILD KSP42/43 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP42/43是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型高压晶体管，其最大集电极-发射极电压为300V，最大集电极-发射极功耗为625mW。
FAIRCHILD KSP2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP通用放大器，其特点是集电极-发射极电压为VCEO= 60V，集电极功耗为PC（最大）= 625mW。该芯片有带“-C”和不带“-C”的两种封装，带“-C”的封装为中心集电极，不带“-C”的封装为侧面集电极。该芯片的型号为PN2907A。
FAIRCHILD KSP2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文件是关于KSP2222A NPN通用放大器的说明书。该产品的特点包括：集电极-发射极电压为40V，集电功率耗散为625mW。
FAIRCHILD KSD1616/1616A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSD1616/1616A是一款音频频率功率放大器和中速开关，额定电压为60V和120V，额定电流为1A和2A。
FAIRCHILD KSP05/06 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文档是关于Fairchild Semiconductor Corporation的KSP05/06 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性的介绍。该晶体管具有高电压和功率耗散能力，是KSP55/56的补充产品。
FAIRCHILD KSH44H11 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文档介绍了KSH44H11型号的NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管具有80V的集电极-发射极电压、8A的集电极电流、1.75W的集电极耗散功率等特点。
FAIRCHILD KSD5041 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 这是一篇关于 KSD5041 的技术文档，它是一款 NPN Epitaxial Silicon Transistor，具有低 VCE (sat) 和高性能的特点。
FAIRCHILD KSD261 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSD261是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型集成电路，其最大集电极电流为500mA，最大集电极-发射极电压为20V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
FAIRCHILD KSC945 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC945是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极反向电压为60V，集电极-发射极最大电压为50V，发射极-基极最大电压为5V，最大集电极电流为150mA，最大集电极功耗为250mW，最大结温为150℃，存储温度范围为-55~150℃。
FAIRCHILD KSC815 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC815是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体三极管，其封装为TO-92，额定功耗为400mW，额定电压为60V。该三极管具有低频放大和高频振荡器的功能。
FAIRCHILD KSC5019 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC5019是一款低饱和的NPN型硅晶体管，最大集电极-发射极饱和电压为0.5V，最大集电极-发射极击穿电压为10V。
FAIRCHILD KSC3265 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件介绍了KSC3265型号的NPN硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它具有30V的集电极-基极电压、25V的集电极-发射极电压、5V的发射极-基极电压以及800mA的集电极电流等特点。
FAIRCHILD KSC2383 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2383是Fairchild Semiconductor Corporation推出的NPN型晶体管，其最大额定电压为160V，最大额定电流为1A，最大额定功率为900mW，典型工作温度为-55°C至150°C。
FAIRCHILD KSC2331 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2331是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款NPN Epitaxial Silicon Transistor，具有低频放大器和中速开关功能，可以补充KSA931，额定最大集电极-基极电压为80V，集电极电流为700mA，集电极功耗为1W。
FAIRCHILD KSC2330 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2330是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，具有以下特点:最大集电极-发射极电压300V，最大集电极-基极电压300V，最大发射极-基极电压7V，最大集电极电流100mA，最大集电极功耗1W，最大结温150°C，存储温度范围-55~+150°C。
FAIRCHILD KSC2328A NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2328A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，其最大集电极-基极电压为30V，最大集电极-发射极电压为30V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极电流为2A，最大集电极功耗为1W，最大结温为150℃，最大存储温度为-55℃至150℃。
FAIRCHILD KSC2316 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2316是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管。其最大集电极-发射极电压可达120V，最大集电极-发射极饱和电压可达1V。该管件适用于音频功率放大器应用，如驱动级放大器和KSA916的补充器。
FAIRCHILD KSC1845 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC1845是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型三极管，其最大集电极-基极电压为120V，最大集电极-发射极电压为120V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极电流为50mA，最大基极电流为10mA，最大集电极功耗为500mW，最大结温为150℃，存储温度范围为-55~150℃。
FAIRCHILD KSC1815 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC1815是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款NPN型电晶体，其封装方式为TO-92。该电晶体具有较高的额定电压和电流，适用于音频频率放大器和高频振荡器等场合。
