FAIRCHILD FDP020N06B_F102 数据手册 该文件介绍了FDP020N06B_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低电阻、低反向恢复电荷、快速开关速度等，适用于同步整流、电池充电器、直流电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDN86246 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDN86246 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大rDS(on)值、高性能槽沟技术、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDN5630型号的N-沟道MOSFET产品。该产品采用了Fairchild公司的PowerTrench技术，具有较低的RDS(ON)和快速开关特性，适用于高频DC/DC转换器和马达驱动等应用。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel PowerTrench Specified MOSFET 数据手册 FDN5618P是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，额定电压为60V，漏极电流为-1.25A，开关速度快，RDS(ON)低，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用
FAIRCHILD FDQ7236AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench? in SO-14 Package 数据手册 FDQ7236AS是Fairchild公司生产的一款双通道功率MOSFET，该MOSFET具有低导通损耗和低开关损耗的特点。
FAIRCHILD FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有以下特点：RDS(on)=1.15mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=3.25A；低栅极电荷（典型值20nC）；低Crss（典型值10pF）；快速开关；100%雪崩测试；改进的dv/dt能力；RoHS兼容。
FAIRCHILD FDP8N50NZU / FDPF8N50NZU N-Channel MOSFET 数据手册 FDP8N50NZU / FDPF8N50NZU N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能电力场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、低栅极电容和快速开关特性，可应用于高效开关模式电源供应和有源功率因数校正等领域。
FAIRCHILD FDP8N50NZF / FDPF8N50NZF N-Channel MOSFET 数据手册 FDP8N50NZF/FDPF8N50NZF N-Channel MOSFET是Fairchild生产的，使用独家平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲、适用于高效开关电源和有源功率因数校正等特点。
FAIRCHILD FDP6N60ZU / FDPF6N60ZUT N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 该文档介绍了FDP6N60ZU / FDPF6N60ZUT N-Channel MOSFET的特点和特性，包括RDS(on)、低门电荷、低Crss、快速开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等。
FAIRCHILD FDPF680N10T N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDPF680N10T是一款N通道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏源电压，12A的漏电流和68mΩ的导通电阻。该产品具有快速开关速度、低栅极电荷、高性能沟道技术以实现极低的导通电阻和高功率、高电流处理能力。适用于直流到交流转换/同步整流。
FAIRCHILD FDP5N50U / FDPF5N50UT N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 FDP5N50U / FDPF5N50UT N-Channel MOSFET, FRFET 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 1.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A、低门控电荷( Typ. 11nC)、低Crss( Typ. 5pF)、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDP5N50 / FDPF5N50T N-Channel MOSFET 数据手册 FDP5N50 / FDPF5N50T是一款N沟道MOSFET，具有500V的电压、5A的电流和1.4Ω的RDS(on)。它具有低电荷和低Crss，具有快速的开关速度和改善的dv/dt能力。它适用于高效的开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDP5N50NZU / FDPF5N50NZU N-Channel MOSFET 数据手册 FDP5N50NZU/FDPF5N50NZU N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管。产品特点包括：RDS(on) = 1.7Ω (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 1.95A、低栅极电荷(Typ. 9nC)、低Crss(Typ. 4pF)、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力、改进的ESD能力、RoHS 兼容。
FAIRCHILD FDP5N50NZF/FDPF5N50NZF N-Channel MOSFET 数据手册 FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF N-Channel MOSFET是一款500V，4.2A，1.75Ω的产品，具有RDS(on) = 1.57Ω（典型）@ VGS = 10V，ID = 2.1A、低栅极电荷（典型）9nC、低Crss（典型）4pF、快速开关、100％雪崩测试、改进的dv/dt能力、ESD改进能力、RoHS合规等特点。
FAIRCHILD FDP5N50F / FDPF5N50FT 500V N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 该文档介绍了2012年5月发布的FDP5N50F / FDPF5N50FT N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的漏极到源极电压，4.5A的漏极电流，1.55欧姆的导通电阻等。
FAIRCHILD FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ N-Channel MOSFET 数据手册 FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，具有600V电压、3.8A电流和2.5Ω电阻。其特点包括低门电荷、低静态电容、快速开关、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力和ESD改进能力。该产品符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDP44N25/FDPF44N25T 250V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDP44N25 / FDPF44N25T 250V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括44A的电流、250V的电压、低门电荷和低Crss值等。
