FAIRCHILD FDP150N10A 数据手册 FDP150N10A_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、低阻抗的 MOSFET，采用 Fairchild Semiconductor 的先进 PowerTrench 工艺，能够在最大程度上降低开关状态电阻，同时还具有卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDP150N10 数据手册 FDP150N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的高性能N通道MOSFET，具有低RDS(on)、快速开关速度、低门极电荷等特点，适用于DC到DC转换器和同步整流等应用。
FAIRCHILD FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ 数据手册 FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 0.53 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A，低门极电荷( Typ. 26nC)，低Crss( Typ. 12pF)，快速开关，100%雪崩测试，增强dv/dt能力，ESD增强能力，RoHS兼容
FAIRCHILD FDP12N50NZ / FDPF12N50NZ 数据手册 FDP12N50NZ / FDPF12N50NZ N-Channel MOSFET 是一款由 Fairchild 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管，采用平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正应用。
FAIRCHILD FDP12N50/FDPF12N50T 数据手册 该文档介绍了FDP12N50 / FDPF12N50T N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低电阻、低门电荷、快速开关、100%测量的雪崩能力等。
FAIRCHILD FDP120N10 数据手册 FDP120N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能、低阻抗的N沟道MOSFET，可用于DC-DC转换器和同步整流应用。该器件具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点。
FAIRCHILD FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ 数据手册 FDP10N60NZ/FDPF10N60NZ N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款功率开关器件，具有600V、10A、0.75Ω的特点。
FAIRCHILD FDP100N10 数据手册 FDP100N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低阻抗功率MOSFET，其开关速度快、门极电荷低、RDS(on)极低，适用于DC to DC转换器和同步整流等应用。
FAIRCHILD FDP090N10 数据手册 这份文件介绍了2008年1月发布的FDP090N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品具有100V的电压、75A的电流和9mΩ的RDS(on)特性。它采用了高性能槽道技术，具有快速开关速度、低门电荷和高功率处理能力。适用于直流转换器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDP085N10A 数据手册 FDP085N10A_F102是一款高性能N通道MOSFET,其RDS(on)为7.35mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 96A,具有快速的开关速度和低的栅极电荷,支持DC到DC转换器和电信电源的同步整流应用。
FAIRCHILD FDP083N15A 数据手册 FDP083N15A_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET，由 Fairchild Semiconductor 生产。这款 MOSFET 具有 8.3mΩ 的低 RDS(on)、6.85mΩ ( 典型值 )@ VGS = 10V、ID = 75A 的快速开关速度和低栅极电荷。它适用于 DC 到 DC 转换器、服务器/电信 PSU 的同步整流、电池充电器、交流电机驱动和不间断电源供应 ( UPS )。
FAIRCHILD FDP047N10 数据手册 FDP047N10是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道功率晶体管，该晶体管具有低Rdson、高开关速度、低栅极电荷、高功率和电流处理能力，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDP040N06 数据手册 FDP040N06是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，其最大特点是RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A，具有快速开关速度、低门极电荷、高性能沟槽技术和极低RDS(on)，适用于DC到DC转换器/同步整流应用。
FAIRCHILD FDP036N10A 数据手册 FDP036N10A N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，具有RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A的特性，适用于DC to DC Convertors / Synchronous Rectification等应用场景。
FAIRCHILD FDP032N08 数据手册 该文档介绍了FDP032N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括75V的漏极到源极电压、235A的漏极电流、3.2mΩ的导通电阻等。
FAIRCHILD FDP027N08B_F102 数据手册 FDP027N08B_F102是Fairchild生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为80V，最大电流为223A，典型开关导通电阻为2.21mΩ。
FAIRCHILD FDP025N06 数据手册 FDPA025N06是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有极低的RDS(on)、快速的开关速度、低的门极电荷和高功率和电流处理能力。
