FAIRCHILD FDP5800 说明书 该文档介绍了FDP5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其RDS(on)、高性能沟道技术、低门电荷、高功率和电流处理能力等。适用于电机/负载控制、动力传动管理、喷射系统、直流-交流转换器和UPS等应用。
FAIRCHILD FDP55N06/FDPF55N06 说明书 FDP55N06/FDPF55N06是Fairchild生产的N-Channel enhancement mode power field effect transistors，特点是55A, 60V, RDS(on) = 0.022 Ω @VGS = 10 V，低gate charge ( typical 30 nC)，低Crss ( typical 60 pF)，快速switching，100% avalanche tested，improved dv/dt capability。
FAIRCHILD FDP52N20/FDPF52N20T 说明书 FDP52N20 / FDPF52N20T 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 200V 的漏源电压，52A 的连续电流，0.049 欧姆的开关损耗。
FAIRCHILD FDP51N25/FDPF51N25 说明书 FDP51N25 / FDPF51N25 250V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，它具有51A、250V、RDS（on）=0.06Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型55 nC）、低Crss（典型63 pF）等特点。它采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有极低的开启电阻、卓越的开关性能，并且能够承受高能脉冲。该器件非常适合于高效开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 说明书 FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 35A, 42mΩ 产品具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability（单脉冲和重复脉冲）等特点。
FAIRCHILD FDP3672 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation所生产的FDP3672 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大额定电压、最大电流、低Miller电荷、低QRR体二极管、高效率、UIS能力等。该产品适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直喷式/柴油喷射系统、42V汽车负载控制、电子可变气门系统等应用。
ON MUR120 Series SWITCHMODE POWER RECTIFIERS 数据手册 该文件是关于ON Semiconductor MUR120系列开关电源整流器的说明书，包括产品特点、特性、外形尺寸、引脚定义、封装类型、应用电路等信息。
FAIRCHILD FDP33N25/FDPF33N25T 250V N-Channel MOSFET 数据手册 FDP33N25 / FDPF33N25T 250V N-Channel MOSFET 是一款低导通电阻、低栅极电荷、低输入电容的功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FDP3651U N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDP3651U N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其rDS(on)、Qg(TOT)、Miller Charge、Qrr Body Diode等参数。该产品适用于DC/DC转换器和离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主要开关以及高压同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDP2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDP2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET 是由Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET器件，其采用了Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，具有低RDS(on)和快速开关速度等特点。
FAIRCHILD FDP26N40/FDPF26N40 N-Channel MOSFET 数据手册 FDP26N40 / FDPF26N40 N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款产品，其额定电压为400V，额定电流为26A，导通电阻为0.16欧姆。该产品具有低栅极电荷、低反向电容、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FDP2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDP2614是一款200V N通道功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor生产。其特点是低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度。该产品适用于PDP应用。
FAIRCHILD FDP24N40 N-Channel MOSFET 数据手册 FDP24N40是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，它具有低导通电阻、低栅极电荷、低栅极输入电容和快速开关等特点。它适用于高效开关电源和有源功率因数校正等应用。
FAIRCHILD FDP18N20F/FDPF18N20F 数据手册 该文件介绍了UniFET TM FDP18N20F / FDPF18N20FT N-Channel MOSFET的特性和特点，包括其低电阻、低门电荷、快速开关速度和RoHS兼容性。该产品适用于高效开关模式电源和有源功率因数修正。
FAIRCHILD FDP15N40 / FDPF15N40 数据手册 FDP15N40 / FDPF15N40 N-Channel MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关和100%防雪崩等优点，适用于高效开关电源和有源功率因数校正等应用。
