RECTRON Semiconductor TVS TFMBJ SERIES GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 本文件是Rectron Semiconductor的技术规格说明，介绍了TFMBJ系列的特点特性，包括塑料包装、玻璃钝化芯片结构、600瓦电流冲击能力、优异的钳位能力、低的齐纳阻抗和快速响应时间等。
TEXAS INSTRUMENTS THS4041, THS4042 165-MHz C-STABLE HIGH-SPEED AMPLIFIERS 数据手册 THS4041/2 165MHz C-Stable High-Speed Amplifiers是TI公司生产的一款单/双通道、高性能、高带宽、低失真、低功耗、可驱动任意电容负载的视频放大器。
TEXAS INSTRUMENTS TIBPAL16R4-10C, TIBPAL16R6-10C, TIBPAL16R8-10C TIBPAL16R4-12M, TIBPAL16R6-12M, TIBPAL16R8-12M HIGH-PERFORMANCE IMPACT-X PAL CIRCUITS Data Sheet 该文档是关于TIBPAL16L8-10C, TIBPAL16R4-10C, TIBPAL16R6-10C, TIBPAL16R8-10C TIBPAL16L8-12M, TIBPAL16R4-12M, TIBPAL16R6-12M, TIBPAL16R8-12M HIGH-PERFORMANCE IMPACT-X PAL CIRCUITS产品的生产数据，包含产品的特点特性，如高性能、功能等，以及产品的型号、品牌等信息。
TEXAS INSTRUMENTS TIBPAL22VP10-20C, TIBPAL22VP10-25M HIGH-PERFORMANCE IMPACT-X PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC CIRCUITS 数据手册 TIBPAL22VP10-20C/25M是TI生产的一款高性能可编程数组逻辑电路，它与TIBPAL22V10/10A功能相同，但增加了输出逻辑宏单元中的反馈路径，可选择20ns或25ns最大工作速度，输出端均可由用户自行编程，以实现注册或组合操作，极性和输出使能控制，并提供TTL电平预加载，以提高可测试性。
MOTOROLA TIP140 TIP141 Data Sheet 该数据表格主要介绍了Motorola Bipolar Power Transistor产品的参数信息，包括最大集电极-发射极电压、最大集电极-基极电压、最大发射极-基极电压、最大集电流等。
TEXAS INSTRUMENTS TL05x, TL05xA, TL05xY ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 数据手册 TL05x, TL05xA, TL05xY ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 是TI公司发布的一款增强型低压差运算放大器，该系列产品具有更高的直流精度和更快的转换速率，同时功耗也更低，可用于升级现有的电路或在新的设计中获得最佳性能。
TEXAS INSTRUMENTS TL3116, TL3116Y ULTRA-FAST LOW-POWER PRECISION COMPARATORS 数据手册 TL3116是一种超快速比较器，可直接与TTL逻辑接口，可从单一5V电源或双±5V电源供电。输入共模电压可延伸到负电源，适用于地感应用。具有极低的失调电压和高增益，适用于精密应用。具有可锁存的互补输出。
TEXAS INSTRUMENTS TLC27M2, TLC27M2A, TLC27M2B, TLC27M7 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS数据手册 TLC27M2, TLC27M2A, TLC27M2B, TLC27M7 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS是一款低噪声、低功耗、单电源操作的运算放大器。它具有宽范围的供电电压、大的输出电压范围、小的输入偏移电压、低输入阻抗、设计内置的拉锁免疫和ESD保护电路。
ASI UHBS15-1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该文件介绍了ASI UHBS15-1型号的特点和特性，它是一款NPN硅射频功率晶体管，具有优异的性能和高可靠性。
TEXAS INSTRUMENTS TLC7528C, TLC7528E, TLC7528I DUAL 8-BIT MULTIPLYING DIGITAL-TO-ANALOG CONVERTERS 数据手册 TLC7528C, TLC7528E, TLC7528I是德州仪器的三款8位双通道乘法数字到模拟转换器，具有高精度和高可靠性，支持15V电源供电。
ASI UHBS30-1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 UHBS30-1是一种NPN硅RF功率晶体管，其最大额定值为9.0 A、50 V、30 V和4.0 V。它具有Omnigold™金属化系统、6L FLG封装和1.5 OC/W热阻。
ASI UHBS60-1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该数据表是关于ASI UHBS60-1的参数规格，包括BVCBO、BVCES、BVCEO、BVEBO、ICES、ICBO、hFE、Cob、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VCES、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等。
ASI ULBM0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 这是一份ASI ULBM0.5的数据表，介绍了它的特点特性，包括BVCEO、BVCES、BVEBO、hFE、Cob、PG等。
ASI ULBM35 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该数据表格是关于ASI ULBM35的规格参数，包括BVCEO IC、BVCES IC、BVEBO IE、ICES VCE、hFE VCE、Cob VCB、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等
ASI ULBM10 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 ULBM10是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold金属化系统、最大电流IC为2.5A、最大集电极-发射极反向电压VCBO为36V、最大集电极-发射极开路电压VCEO为16V、最大集电极-发射极反向电压VCES为36V、最大发射极-基极反向电压VEBO为4.0V、最大功耗PDISS为58W，工作温度范围为TJ-65℃至+200℃、储存温度范围为TSTG-65℃至+150℃，热阻θθJC为7.0℃/W。
