NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV030A 数据手册 该数据表格列出了ASI TVV030A的特性，包括BVCBO、BVCER、BVCEO、BVEBO、hFE、COB、PG、IMD1等。
ST STPS80L60CY POWER SCHOTTKY RECTIFIER 数据手册 STPS80L60CY是一款功率肖特基整流器，具有非常小的导通损耗、可忽略的开关损耗、极快的开关速度、低正向电压降和低热阻。适用于CAD计算机和服务器，用于低压、高频开关电源、自由轮和极性保护应用。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV020 数据手册 这是一份关于Advanced Semiconductor公司的产品ASITVV020的规格说明书。该产品是一种NPN硅射频功率晶体管，具有最大8.0A的工作电流和最大140W的功耗。它采用了Omnigold™金属化系统，具有优异的性能和特性。
ST STw4141 Single Coil Dual Output Step Down DC/DC Converter for Digital Base Band and Multimedia Processor Supply 数据手册 STw4141是STMicroelectonics推出的一款单线圈双输出同步降压DC/DC转换器，主要应用于数字基带和多媒体处理器电源供应。该产品采用固定频率PWM控制方式，具有高效率、低功耗、高精度和良好的线性性能。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV014A 数据手册 该PDF文件是关于ASI TVV014A数据表，介绍了该产品的特点特性，如BVCEO、BVCER、BVEBO、ICES、hFE、PG、IMD1等。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV014 数据手册 该文件介绍了ASI TVV014型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和性能。该晶体管具有最大电流和电压等级，适用于高频应用。其特点包括Omnigold™金属化系统和最大功率耗散能力。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV010 数据手册 ASI TVV010 是一款 NPN 硅 RF 功率晶体管，最大电流为 10A，最大电压为 60V，最大功耗为 140W。
EIC SZ153D SZ15D0 DATA SHEET 这是一款SZ153D - SZ15D0表面贴装硅二极管，其特点是电压范围为3.3至200伏，功耗为1瓦，具有高峰值反向功耗耗散、高可靠性和低漏电流。
MICROCHIP TC500/A/510/514 Precision Analog Front Ends 数据手册 TC500/A/510/514是Microchip推出的模拟信号处理器，具有高达17位的精度，3针控制接口，可单电源供电，具有自动输入电压极性检测、低功耗、宽电压范围等特点，适用于精密模拟信号处理、精密传感器接口、高精度直流测量等应用。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU020 数据手册 该文件介绍了ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC.（ASI）的TVU020型号NPN硅射频功率晶体管的特性和特点。该晶体管具有输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU014 数据手册 ASI TVU014是一款NPN硅RF功率晶体管，其特点包括Omnigold™金属化系统、最大电流2 x 2.6 A、最大电压45 V、最大功率65 W、最大工作温度范围-65 °C至+200 °C、最大存储温度范围-65 °C至+150 °C、热阻2.5 °C/W。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU012 数据手册 该文件介绍了Advanced Semiconductor公司的电子元器件产品ASITVU012的特性和特点，包括BVCEO、BVCER、BVEBO、ICES、hFE等参数。该产品是一种NPN硅射频功率晶体管，适用于860MHz频率，具有输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
