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ASI MLN1027SL NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表列出了ASI MLN1027SL的特性，包括BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、COB、PG等。

ASI MLN1027S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表格为ASI MLN1027S的规格表，主要包括最大电流、最大电压、最大功率、最小功率、最小电流等信息。

ASI HF250-50 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表格主要介绍了ASI HF250-50的特性、最大额定值、封装、外形尺寸等信息。

ASI HF220-50 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

HF220-50是一款NPN硅射频功率晶体管，具有高线性性，适用于高线性性类AB HF功率放大器应用，最大工作频率为30 MHz。

ASI HF150-50S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

本文件为ASI HF150-50S的datasheet，介绍了该产品的特性及参数。

ASI HF150-50F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI HF150-50F是一款NPN硅射频功率晶体管，具有PG = 14 dB最小值，最大输出功率为150 W/30 MHz，最大互调失真为100 dBc。

siemens C167CR DATA SHEET(1)

该文件是一份关于C167CR 16位CMOS单片微控制器的产品信息查询文档，提供了供应商和出版信息，并强调了对于组件而非应用、过程和电路的责任承担。文档描述了该组件的类型，但不包括确保的特性。还提供了交货条款和设计变更的权利。对于技术、交货和价格的问题，请联系德国的半导体集团办事处或西门子公司和全球代表（见地址列表）。由于技术要求，组件可能含有危险物质。有关所涉及类型的信息，请联系您最近的西门子办事处，半导体集团。西门子是CECC制造商。包装请使用您所知道的循环利用运营商。我们也可以帮助您与最近的销售办事处联系。经协议，如果分类，我们将收回包装材料。您必须承担运输费用。对于我们退回的未分类或我们不必接受的包装材料，我们将不得不向您收取任何费用。

International Rectifier SD400N/R SERIES DATA SHEET

该文件介绍了SD400N/R系列标准恢复二极管的特点和特性，包括宽电流范围、高电压额定值、高浪涌电流能力等。该产品适用于变换器、电源、机床控制、高功率驱动和中级牵引等应用。

Vishay Si4473DY P-Channel 14-V (D-S) MOSFET 数据手册

Si4473DY是Vishay Siliconix公司生产的一款P通道MOSFET，最大工作电压为14V，典型开关损耗为0.016欧姆，最大工作温度为150℃。

Vishay SPICE Device Model Si9936BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 数据手册

该文档是一份SPICE设备模型指南，介绍了Si9936BDY型号的特点和特性。该模型适用于线性和开关应用，精确度高，在-55到125°C的温度范围内有效。模型参数经过优化，提供了最佳的拟合测量数据的结果。

SKDI 26 DATA SHEET

该文件介绍了SKDI26供应商的产品特点特性。

ASI MLN2033F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该数据表提供了MLN2033F射频功率晶体管的特性、最大额定值、封装样式、订单代码等信息。

ASI TVU002 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

该文件介绍了ASI TVU002型号的特点和特性，包括最小、典型和最大值的参数，如电流、电压、功耗等。

ASI TVU0.5B NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

ASI TVU0.5B是NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统、最大电流2.0 A、最大电压45 V、最大功率31.8 W

ASI TVU0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

这是一份关于ASI TVU0.5A NPN硅射频功率晶体管的规格说明书。该晶体管具有BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、PG IMD1等特性参数，并且采用了Omnigold™ Metalization System。该晶体管适用于射频功率放大器等应用。

ASI TVU0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册(1)

TVU0.5是一款NPN硅RF功率晶体管，其最大电流为2.0A，最大电压为45V，最大电压为25V，最大电压为3.5V，最大输出功率为31.8W。

ASI OSC-2.0SM NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册

本文件是关于ASI10639的规格书，主要介绍了产品的特性、特点、参数等信息。

ASI OSC-1.3SH 数据手册

该文档介绍了一种NPN硅射频功率晶体管，具有低噪声、高电流和高频率特性。该晶体管适用于射频功率放大器等应用。

ASI OSC-0.7L 数据手册

ASI OSC-0.7L is a NPN silicon RF power transistor with a maximum power dissipation of 7.0 W and a maximum collector-emitter voltage of 40 V. It features an Omnigold™ metalization system and is available in a TO-46 package.

ASI OSC-0.3C 数据手册

这是一份产品手册，介绍了ASI OSC-0.3C产品的特点和特性。这款产品是一款NPN硅射频功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统，最大电流225mA，最大电压25V，最大功率5.0W。