TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TC7WG125FU,TC7WG125FK 数据手册 该文件介绍了TC7WG125FU/FK型号的TOSHIBA CMOS数字集成电路硅片单片机，包括其高级输出电流、高速运行、工作电压范围等特性。
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TC7WG125FU,TC7WG125FK 数据手册(1) TC7WG125FU/FK是东芝生产的双总线缓冲器，具有3-STATE输出
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1)(1) K4S643233F是由三星生产的一款同步动态随机存储器(SDRAM)，它具有67,108,864位，并组织为4 x 524,288字和32位。该设备支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容，可进行多路复用地址和四路操作。
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1) K4S643233F-S(D)E/N/I/P 是一款由三星公司生产的2Mx32 SDRAM 内存，工作电压为3.0V / 3.0V 或3.3V / 3.3V，采用90FBGA封装。
三星 K4S511633F-Y(P)C/L/F Mobile-SDRAM 说明书(1)(1) K4S511633F是三星生产的高性能CMOS动态随机存储器，采用同步设计，可实现精确的时序控制，并支持多种高带宽、高性能内存系统应用。该器件具有多种操作频率、可编程突发长度和可编程延迟，可在各种应用中使用。
三星 K4S511633F-Y(P)C/L/F Mobile-SDRAM 说明书(1) K4S511633F-Y(P)C/L/F 是由三星公司制造的536,870,912 位同步高速数据率动态随机存储器，组织为 4 x 8,388,608 字节，由 16 位组成。该器件具有高频率、可编程突发长度和可编程延迟，可用于各种高带宽、高性能存储系统应用。
三星 K4S51153LF - Y(P)C/L/F Mobile SDRAM 说明书 K4S51153LF是一种移动SDRAM，具有2.5V/2.5V或2.5V/1.8V的电压，适用于LVCMOS和多路复用地址。具有四个存储区，支持MRS和EMRS循环程序，并具有特殊功能支持。该产品具有部分阵列自刷新和温度补偿自刷新功能，还支持掩码和自动刷新等特性。
三星 K4S51163PF-Y(P)F Mobile-SDRAM 说明书(1)(1) K4S51163PF是一款由三星生产的高性能动态随机存储器，采用同步设计，可以通过系统时钟精确控制周期，并可以在每个时钟周期进行I/O事务。该产品的频率范围、可编程突发长度和可编程延迟使其能够用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
三星 K4S51163PF-Y(P)F Mobile-SDRAM 说明书(1) K4S51163PF-Y(P)F是三星公司生产的一款同步高数据速率动态内存，组织方式为4 x 8,388,608 words by 16 bits，带有可编程突发长度和可编程延迟，适用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
三星 K4S513233F - M(E)C/L/F Mobile SDRAM 说明书(1) K4S513233F - M(E)C/L/F是三星公司生产的一款移动存储器，它支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容多路复用地址，支持四个银行操作，支持MRS周期和地址键程序。
