TOSHIBA 2SK2613 说明书(2) 这是一份关于2SK2613型号的TOSHIBA场效应晶体管的技术资料。该晶体管适用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动应用，具有低漏源电阻、高正向传输导纳和低泄漏电流等特性。
TOSHIBA 2SK2613 说明书(3) 2SK2613是一款TOSHIBA生产的场效应晶体管，适用于开关稳压器、DC-DC变换器和电机驱动等应用。其特点包括低漏极-源极电阻、高前向传输导纳和低漏电流。
TOSHIBA 2SK2614 说明书(1)(1) 该文档介绍了2SK2614型号场效应晶体管的特点和特性，适用于斩波调节器、DC/DC转换器和电机驱动应用。其特点包括低漏电流、低导通电阻、高正向传输导纳和低阈值电压。
TOSHIBA 2SK2615 说明书(1) 2SK2615是东芝生产的一款N沟道MOSFET，主要应用于DC-DC转换器、继电器驱动和电机驱动等场合。该产品具有低导通电阻、高前向传递导纳和低漏电流等特点。
FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1) 2SK2638-01MR 是 N 沟道 MOS-FET FAP-IIS 系列，最大电压为 450V，电流为 10A，功率为 50W。它具有高速度开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ±30V 保证、重复雪崩额定等特点。它可用于开关电源、UPS、DC-DC 转换器和通用功率放大器。
FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1)(1) 2SK2638-01MR是鼎好电子的N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无次级击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ± 30V保证、重复雪崩额定等特点，适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器、通用功率放大器等应用。
FUJI 2SK2639-01 Data Sheet(1)(1) 该文件介绍了2SK2639-01 N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。
FUJI 2SK2640-01MR Data Sheet 2SK2640-01MR是鼎好半导体生产的一款N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高耐压等特点，应用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等领域。
FUJI ELECTRIC 2SK2640-01MR DATA SHEET 该文档介绍了2SK2640-01MR N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。该产品适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等应用领域。
