THSHIBA TC7WB125FK 说明书 TC7WB125FK是东芝公司生产的一款低通阻、高转速的CMOS2位总线开关,其特点是可以在保持CMOS的低功耗特性的同时,以最小的传输延迟实现连接或断开。当输出使能(OE)为低电平时,开关处于开启状态;当处于高电平时,开关关闭。所有输入都配备保护电路,以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WB125FK 说明书(1) TC7WB125FK是东芝公司生产的一款低阻抗、高速CMOS 2位总线开关器件,其具有连接和断开连接时延短、功耗低等特点。当输出使能(OE)为低电平时,开关器件工作;当为高电平时,开关器件关闭。所有输入均配备保护电路,以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WB383FK 说明书 TC7WB383FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线交换开关。该总线开关允许在最小传播延迟下进行连接或断开连接,同时保持CMOS的低功耗特性。当输出使能(OE)为高电平时,开关关闭。当为低电平时,开关打开,并且根据EX端口的逻辑选择是否将2位数据按原样传输到相应的端口,还是将数据通过交换数据线传输到端口。因此,它可以用作2到1多路复用器开关。由于开关通道由N型MOSFET组成,所以高电平输出电压比VCC电平低约1V。所有输入都配有保护电路,以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WB66FK 说明书(1)(1) TC7WB66FK是东芝公司生产的一款低导通电阻、高速度CMOS2-bit总线开关。该总线开关可以在保持CMOS特征的低功耗的同时,以最小的传播延迟完成连接或断开的操作。当输出使能(OE)处于高电平时,开关打开; 当处于低电平时,开关关闭。P-MOS和N-MOS通道阻隔意味着该器件适用于模拟信号传输。所有输入均配备了保护电路,以保护器件免受静电放电。
THSHIBA TC7WB66FK 说明书(1) TC7WB66FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线开关。该总线开关允许在最小传播延迟的情况下进行连接或断开连接,同时保持CMOS特性的低功耗。当输出使能(OE)为高电平时,开关处于打开状态;当为低电平时,开关处于关闭状态。P-MOS和N-MOS通道阻断意味着该器件适用于模拟信号传输。所有输入都配备了保护电路,以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WBD125AFK 说明书(1)(1) TC7WBD125AFK是东芝公司生产的一种低阻抗、高速度CMOS 2位总线开关。该开关允许在保持CMOS特征的低功耗的同时,以最小的传播延迟进行连接或断开。当输出使能(OE)处于低电平时,开关处于开启状态;当处于高电平时,开关处于关闭状态。该器件能够实现从5V到3.3V的信号电平转换。所有输入都配备了保护电路,以保护器件免受静电放电。
THSHIBA TC7WBD125AFK 说明书(1) TC7WBD125AFK是东芝推出的一款低阻抗、高速CMOS 2 位总线开关。该总线开关可在保持CMOS特性的低功耗的同时,以最小的传播延迟进行连接或断开。当输出使能 (OE) 处于低电平时,开关处于开启状态;当处于高电平时,开关处于关闭状态。该器件可以实现从 5 V 到 3.3 V 的信号电平转换。所有输入都配备了保护电路,以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WBD125FK 说明书 TC7WBD125FK是TOSHIBA公司生产的一款低阻、高速CMOS双端口开关,具有典型CMOS特点:低功耗和低传播延迟。当输出使能(OE)为低电平时,开关接通;当为高电平时,开关断开。内部的二极管可以实现从5V到3.3V的电平转换。
THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(1) TC7WBD126FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线开关,具有CMOS的低功耗特性。当输出使能(OE)为高电平时,开关打开;当为低电平时,开关关闭。内部二极管使得电源线的电平从5V变为3.3V。
THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(2) TC7WBD126FK是一种低开关电阻、高速CMOS 2位总线开关,具有低功耗的特点。它可以在最小的传播延迟下进行连接或断开连接。当输出使能(OE)为高电平时,开关处于打开状态;当为低电平时,开关处于关闭状态。该器件还具有内部二极管,可实现信号电平从5V到3.3V的转换。
THSHIBA TC7WBL125FK 说明书(1) TC7WBL125AFK是东芝公司生产的一款低压双总线开关,工作电压范围为2~3.6V,开关时间tpd为0.31ns,开关阻抗RON为5欧姆,ESD保护为±2000V,支持US8封装。
THSHIBA TC7WBL125FK 说明书(2) TC7WBL125FK是东芝公司生产的一款低压双通道开关芯片,工作电压范围为2~3.6V,开关速度极快,传播延时仅为0.25ns,开关阻抗也很低,仅为5Ω。该芯片还具备ESD静电保护、高噪声免疫等特性,适用于模拟信号传输。