DS1220AB/DS1220AD 16k Nonvolatile SRAM是16,384位、完全静态、非易失性SRAM,组织为2048个字节由8位组成。每个NV SRAM具有自包含的锂能量源和控制电路,该电路不断监视VCC以检查是否存在超出容差的条件。当发生这种情况时,锂能量源会自动切换开启并无条件启用写保护以防止数据损坏。NV SRAM可以替代现有的2k x 8 SRAM,直接符合流行的字节宽24针DIP标准。这些设备还与2716 EPROM和2816 EEPROM的引脚匹配,允许直接替代,同时提高性能。