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MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7177A 说明书

MGFC36V7177A是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为7.1-7.7 GHz频段放大器而设计。该器件采用密封金属陶瓷封装，可保证高可靠性。

MGFC36V5867是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75GHz频段放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装，可满足Class A工作条件。

MGFC36V3742A是内部匹配的GaAs功率FET，专门设计用于3.7-4.2GHz带宽放大器。产品特性包括：内部匹配到50欧姆系统、高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真。

MGFC47V5864是安森美公司推出的5.8-6.4GHz带内功率晶体管，具有高输出功率、高功率增益和高效率特性，可广泛用于卫星地面站通讯发射机和VSAT。

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MGFC47A4450是Mitsubishi Electric Corporation设计的一款功率晶体管，适用于4.4-5.0GHz频段放大器。该晶体管具有高输出功率、高增益和高效率等特点。

MGFC45V5964A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.9-6.4 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC45V4450A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC45B3436B是Mitsubishi Electric生产的一款射频功率器件，工作频率为3.4-3.6GHz，最大输出功率为30W，输出功率增益为11dB，失真为-45dBc。

MGFC42V5964A是一款内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.9 - 6.4 GHz频段放大器而设计。它具有高可靠性，内部匹配到50欧姆系统，具有高输出功率，高功率增益和高功率附加效率。

MGFC42V5258是三菱电机生产的一款GaAs功率场效应管，适用于5.2-5.8GHz频段的功率放大器应用场景。

MGFC42V4450是一种用于4.4-5.0 GHz频段放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点。

MGFC42V3436是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为3.4 - 3.6 GHz频段放大器而设计。该设备采用金属陶瓷封装，具有高可靠性。

MGFC40V6472是6.4 - 7.2 GHz频段功率放大器中使用的内部阻抗匹配的GaAs功率FET

MGFC40V5964是一款在5.9 - 6.4 GHz频段放大器中使用的内部匹配的GaAs功率FET。其具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点。

MGFC40V5258是一款用于5.2-5.8GHz频段放大器的内阻匹配GaAs功率场效晶体管，具有高可靠性。

MGFC40V4450是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz带宽放大器而设计。该设备具有出色的输出功率、增益和效率。

MGFC39V3436是松下公司生产的内部匹配的GaAs功率晶体管，专为使用于3.4 - 3.6GHz频段放大器而设计。该晶体管采用金属陶瓷封装，具有很高的可靠性。

MGFC36V6472A是由东芝公司生产的一种高功率GaAs晶体管，主要应用于6.4-7.2GHz频段功率放大器。

该文件介绍了一种频率为5.9-6.4 GHz的C波段匹配功率GaAs FET。该器件具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点，适用于5.9-6.4 GHz频段的功放和数字无线通信应用。