FAIRCHILD FDY101PZ Single P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档详细介绍了FDDY101PZ单P通道(– 2.5V)指定PowerTrench® MOSFET产品的特性，包括应用、特点、绝对最大额定值、电气特性等。
FAIRCHILD FDY100PZ Single P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 本文件是FDY100PZ单P通道(-2.5V)指定PowerTrench MOSFET的使用说明书。
GENERAL SEMICONDUCTOR 2N7002 DMOS Transistors (N-Channel) 数据手册 该数据表格主要介绍了2N7002这个产品的特点特性，包括最大额定值、电气特性、机械特性等。
FAIRCHILD FDY1002PZ Dual P-Channel (?1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY1002PZ是一款双P通道功率MOSFET，特点是最大导通电阻低，适用于锂离子电池组等应用。
FAIRCHILD FDV305N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDV305N是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V N沟道MOSFET，该产品已针对电源管理应用进行了优化。其特点是低RDS(ON)，低门极电荷，快速切换速度。
TITAN WUXGA 3D, Dual 3D, 330, 660 数码投影仪 用户手册 该文件介绍了Digital Projection TITAN WUXGA系列高亮度数字投影机的特点和特性，包括TITAN WUXGA 3D、Dual 3D、330和660型号，其具备16:10宽屏显示功能。
FAIRCHILD FDY102PZ Single P-Channel (?1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY102PZ Single P-Channel (–1.5 V) Specified PowerTrench® MOSFET, 该产品最大电阻为0.5欧姆，可用于锂离子电池包。
FAIRCHILD FDY2000PZ Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2006年1月发布的Fairchild Semiconductor公司的FDY2000PZ双P-Channel MOSFET产品。该产品采用先进的Power Trench工艺，优化了在VGS = -2.5V时的RDS(ON)值。该产品适用于锂离子电池组，具有-350mA，-20V的额定参数。同时具备ESD保护二极管，并符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDY3000NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 这是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的 FDY3000NZ 双 N 通道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 的产品手册。该 MOSFET 的 RDS(ON) @ VGS = 2.5v 优化，应用于 Li-Ion 电池组。其特点包括 600 mA、20 V RDS(ON) = 700 m��@ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 850 m� @ VGS = 2.5 V、ESD 保护二极管以及 RoHS 兼容性。
FAIRCHILD FDY300NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY300NZ是Fairchild Semiconductor生产的N-沟道MOSFET，其特点是RDS(ON) @ VGS = 2.5v非常低，适用于锂电池组等应用。
FAIRCHILD FDY301NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDY301NZ单通道MOSFET的特点和特性，使用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench工艺进行设计，以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。其应用包括锂离子电池组。主要特点包括200mA, 20V的电流和5Ω @ VGS = 4.5V，7Ω @ VGS = 2.5V的电阻。此外，还具有ESD保护二极管和符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDY4000CZ Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY4000CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N-P通道PowerTrench® MOSFET，具有低阻抗特性，适用于电源转换电路、负载/电源开关等应用场景。
FAIRCHILD FDZ1905PZ Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench WL-CSP MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDZ1905PZ型号的Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、占用PCB面积小、超薄封装、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDZ191P 数据手册 FDZ191P P-通道1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET具有最大RDS(on)为85mΩ、占用PCB面积为1.5mm2、高度低于0.65mm的特点，适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。
FAIRCHILD FDZ192NZ 数据手册 FDZ192NZ是一款由Fairchild Semiconductor Corporation设计的N通道1.5V PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET。该器件具有极低的RDS(on)，可在1.5V至20V的电压范围内工作，最大电流为5.3A。
FAIRCHILD FDZ193P 数据手册 FDZ193P是Fairchild公司的一款P通道1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET，其特点是最大RDS(on)为90mΩ@VGS=-4.5V,ID=-1A，占用PCB面积仅1.5mm2，厚度小于0.65mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDZ197PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ197PZ是一款P通道功率MOSFET，采用1.5V PowerTrench工艺和WL-CSP封装技术。它具有低RDS(on)、占用PCB空间小、超薄封装、低门电荷等特点，并适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。
Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K 说明书 该文档描述了Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的特性和特点，包括N-Channel Vertical DMOS结构、Level 3 MOS模型、适用于线性和开关应用、温度范围广等。同时，该文档也介绍了该器件的子电路模型原理和参数优化方法。
