FAIRCHILD FDS9431A P-Channel 2.5V Specified MOSFET 数据手册 FDS9431A是Fairchild生产的一种高密度P通道MOSFET，具有-3.5A，-20V的最大电压和电流，低RDS(ON)和高功率处理能力。
FAIRCHILD FDS9435A Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 FDS9435A 是一款30V P通道 PowerTrench MOSFET，适用于需要广泛的驱动电压额定值（4.5V – 25V）的功率管理应用。
FAIRCHILD FDS9926A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS9926A是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道2.5V指定MOSFET。它具有6.5A，20V的额定电流和电压，适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDS9933A Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS9933A是Fairchild Semiconductor生产的一种双P通道2.5V MOSFET，具有极低的RDS(on)和快速的开关速度。
FAIRCHILD FDS9933BZ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS9933BZ是一款双P通道2.5V指定的PowerTrench® MOSFET，具有低RDS(on)、低栅极电荷、高性能沟槽技术和HBM ESD保护等特点
FAIRCHILD FDS9934C Complementary 数据手册 FDS9934C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种双N-和P通道增强型功率场效应晶体管，使用了Fairchild Semiconductor Corporation先进的PowerTrench工艺，该工艺专门针对最小化开启状态电阻而设计，同时仍保持卓越的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用，在这些应用中需要低线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS9945 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS9945 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N通道逻辑级MOSFET，该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，适用于同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器设计。
FAIRCHILD FDS9953A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDS9953A双30V P-Channel PowerTrench MOSFET。该产品具有广泛的门极驱动电压范围（4.5V - 25V），适用于功率管理、负载开关和电池保护等应用。其特点包括低门电荷、快速开关速度、极低的RDS(ON)和高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDS9958 Dual P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FDS9958双P通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、最小的栅源电荷以及适用于便携式电子设备应用的特点。
FAIRCHILD FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT3612是一款100V N通道MOSFET，采用高性能沟槽技术，具有非常低的RDS（ON），因此具有快速的开关速度和低的门控电荷。它非常适合用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDT3N40 400V N-Channel MOSFET 数据手册 FDT3N40 400V N-Channel MOSFET 是一款高性能的 MOSFET 器件，具有以下特点：2A 的额定电流，400V 的额定电压，3.4 欧姆的导通电阻，4.5 nC 的栅极电荷，3.7 pF 的漏源电容，快速开关速度，100% 的雪崩测试，改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FDT434P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT434P是一种P通道2.5V指定的PowerTrench MOSFET，其开关性能优越，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造，该工艺专门针对最小化开态电阻而定制，同时又保持低栅极电荷。
FAIRCHILD FDT439N N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 FDT439N 是一款 30 V 低功耗 N 沟道 MOSFET。
FAIRCHILD FDT457N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 该产品是N通道增强型场效应晶体管，其特点是具有极低的RDS(ON)，高功率和电流处理能力，广泛应用于低电压、低电流应用中，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。
FAIRCHILD FDT458P 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT458P是一款30V P通道PowerTrench MOSFET，适用于DC/DC转换器、电池充电器和电机驱动等应用。它具有快速开关和低栅极电荷的特点。
FAIRCHILD FDT459N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 该文档介绍了1998年3月发布的FDT459N N-Channel Enhancement Mode场效应晶体管的特点和绝对最大额定值。该晶体管采用了高密度单元的DMOS技术，具有极低的导通电阻和优越的开关性能。适用于低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDT86106LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道逻辑级MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，可将导通电阻降至最低，同时仍能保持卓越的开关性能。该器件具有3.2 A的连续电流和100 V的漏源电压，非常适用于DC-DC转换等应用。
FAIRCHILD FDT86113LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDT86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能的槽道技术、高功率和电流处理能力，以及ESD保护等级等。
