Search Manuals

FAIRCHILD FDMA2002NZ 说明书

FDMA2002NZ是双N通道PowerTrench MOSFET，额定电压30V，额定电流2.9A。该器件具有低导通电阻，适用于蜂窝手持设备和其他超便携应用的双切换需求。

FAIRCHILD FDMA1032CZ 说明书

FDMA1032CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V Complementary PowerTrench MOSFET，具有低导通损耗和高频开关特性。

FAIRCHILD FDMA1029PZ 说明书

FDMA1029PZ是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双P通道功率MOSFET，具有低导通电阻和双向电流流动能力，适用于手机电池充电开关等超便携应用。

FAIRCHILD FDMA1028NZ 说明书

该产品是一款双N通道功率晶体管，可以满足手机和其他超便携应用中对双开关的需求。它具有两个独立的N通道MOSFET，开关阻抗低，导通损耗小。该产品在物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

FAIRCHILD FDMA1027PT 说明书

FDMA1027PT是双P通道PowerTrench®MOSFET，额定电压-20V，额定电流-3A，额定导通电阻120mΩ。该器件专为手机等便携式设备中电池充电开关的应用而设计，具有低结温和双向导电特性。

FAIRCHILD FDMA1027P 说明书

FDMA1027P是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，特别设计用于电池充电开关在手机和其他超便携应用中的使用。它具有两个独立的P-Channel MOSFET，具有较低的导通电阻，以实现最小的导通损耗。当连接在典型的共源配置中时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2封装在其物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

FAIRCHILD FDMA1025P 说明书

该产品是一款双P通道MOSFET，最大导通电阻为155mΩ，最大漏源电压为-20V，最大漏极电流为-3.1A。

FAIRCHILD FDMA1024NZ 说明书

FDMA1024NZ Dual N-Channel Power Trench® MOSFET是一款20 V, 5.0 A, 54 mΩ的双N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、低封装高度、高ESD保护等特点，适用于蜂窝手持设备和其他超便携应用

FAIRCHILD FDMA1023PZ 说明书

FDMA1023PZ双P通道功率晶体管具有低导通电阻，适用于手机等便携式设备的充电开关。

FAIRCHILD FDM3622 说明书

FDM3622 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款100V、4.4A、60mΩ的MOSFET，其特点包括低Miller充电、低QRR、体二极管、高频优化效率、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）和RoHS兼容性。

FAIRCHILD FDL100N50F 说明书

FDL100N50F N-Channel MOSFET是Fairchild的独家产品，采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关、高能量脉冲、RoHS兼容等特点。

FAIRCHILD FDI150N10 说明书

该文档介绍了FDI150N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低RDS(on)，快速开关速度，低栅极电荷等。

FAIRCHILD FDP045N10A / FDI045N10A 说明书

FDP045N10A_F102 / FDI045N10A_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道MOSFET，其最大耗散功率为263W，开关速度快，栅极电荷低，采用高性能沟槽技术，RDS(on)极低，是高功率和大电流处理能力的理想产品

FAIRCHILD FDI040N06 说明书

该数据表格列出了FDI040N06 N通道PowerTrench® MOSFET的特性、最大额定值、温度特性等信息。

FAIRCHILD FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 说明书

FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 是一款60V、80A、3.8mΩ的N沟道PowerTrench® MOSFET，其特点包括：rDS(ON) = 3.5mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 80A；Qg(tot) = 95nC（典型值），VGS = 10V；低Miller电荷；低QRR体二极管；UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。

FAIRCHILD FDI030N06 说明书

FDI030N06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率晶体管。它具有低RDS(on)、快开关速度和低门极电荷等特点。

FAIRCHILD FDH45N50F_F133 说明书

FDH45N50F_F133 是一款 500V N 通道 MOSFET，具有 0.12Ω 的 RDS(on)（在 VGS = 10 V 时）和 105 nC 的低栅极电荷（典型值）。

FAIRCHILD FDH44N50 说明书

该文档介绍了一款名为FDH44N50的Fairchild半导体产品。该产品是一款N-沟道SMPS功率MOSFET，具有44A的连续漏极电流、500V的漏极到源极电压、0.12欧姆的导通电阻等特性。它适用于各种开关模式电源应用，如PFC Boost、Two-Switch Forward Converter、Single Switch Forward Converter、Flyback Converter、Buck Converter和高速开关等。该产品具有低门电荷Qg、改进的门极、雪崩和高再应用dv/dt韧性、降低的导通电阻、降低的米勒电容和低输入电容、改善的开关速度和低EMI、175°C额定结温等特点。

FAIRCHILD FDH055N15A 说明书

FDH055N15A是一款N通道MOSFET，额定电压为150V，最大电流为167A，RDS(on)为4.8mΩ。

FAIRCHILD FDP047AN08A0 / FDI047AN08A0 / FDH047AN08A0 说明书

FDP047AN08A0/FDI047AN08A0/FDH047AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率晶体管，其最大漏-源电压为75V，最大漏电流为80A，最大导通电阻为4.7mΩ。该产品具有低米勒充电、低QRR体二极管、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）等特点，可用于42V汽车负载控制、起动/发电机系统、电子动力转向系统、电子阀门传动系统、DC-DC转换器和离线UPS等应用。