FAIRCHILD FDC642P 说明书 FDC642P是一种单通道2.5V规定功率型MOSFET,具有快速开关速度、低门电荷和极低的导通电阻等特点。它采用了Fairchild的先进PowerTrench®工艺,以最小化导通电阻并保持低门电荷,实现卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDC6420C 说明书 FDC6420C是Fairchild Semiconductor生产的一款20V N & P-Channel MOSFET,采用先进的PowerTrench工艺制造,具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件采用SuperSOT-6封装,具有72%更小的占用空间和1mm的厚度。
FAIRCHILD FDC640P 说明书 FDC640P是一款采用Fairchild先进PowerTrench工艺的坚固的2.5V P通道MOSFET。它经过优化,可在2.5V-12V的广泛栅极驱动电压范围内用于电源管理应用。
FAIRCHILD FDC6401N 说明书 这份文件介绍了FDC6401N型号的双N沟道MOSFET,该产品专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的优化设计。
FAIRCHILD FDC6392S 说明书 FDC6392S是Fairchild公司推出的一款20V集成P通道PowerTrench MOSFET和Schottky二极管,具有快速开关、低栅极电荷和极低导通电阻等特点,适用于DC/DC转换器等场合。
FAIRCHILD FDC638P 说明书 该文件介绍了一种P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET产品,采用Fairchild Semiconductor的先进工艺,具有低导通电阻和低栅极电荷,适用于电池供电应用,包括负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC638APZ 说明书 FDC638APZ 是 Fairchild Semiconductor 生产的一种 P 通道 2.5V 指定 MOSFET,具有极低的 rDS(on) 和低栅极电荷,适用于电池供电应用,如负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
FAIRCHILD FDC637BNZ 说明书 FDC637BNZ N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一种高性能的N沟道MOSFET,采用了Fairchild Semiconductor 的先进PowerTrench®工艺,具有非常低的导通电阻和低栅极电荷,提供卓越的开关性能。与标准的SO-8和TSSOP-8封装相比,该器件具有非常小的占地面积和优异的功耗性能。
FAIRCHILD FDC637AN 说明书 FDC637AN是Fairchild Semiconductor生产的N沟道功率管, 额定电压2.5V, 最大电流6.2A, 采用PowerTrench工艺, 具有低RDS(ON), 低栅极电荷等特点
FAIRCHILD FDC634P 说明书 这份文件介绍了一款P-Channel 2.5V特定功率MOSFET,采用Fairchild低压PowerTrench工艺,为电池电源管理应用进行了优化。产品特点包括:-3.5A,-20V的漏源电阻,80 mΩ @ VGS = –4.5V,110 mΩ @ VGS = –2.5V;低栅极电荷(7.2 nC typ);高性能沟道技术,极低漏源电阻。
FAIRCHILD FDC6333C 说明书 FDC6333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高性能MOSFET,采用先进的PowerTrench工艺,具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件采用SuperSOT-6封装,具有小巧的外形和低厚度,非常适合对功耗和外形尺寸要求苛刻的应用场合。
FAIRCHILD FDC6327C 说明书 FDC6327C是一种双N和P通道2.5V指定的PowerTrenchTM MOSFET。它使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造,该工艺专门针对最小化开关状态电阻,同时保持低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。这些器件经过设计,在非常小的占地面积内提供出色的功耗,对于那些更大、更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装不切实际的应用非常有用。
FAIRCHILD FDD8447L 说明书 FDD8447L 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款40V、50A、8.5mΩ的MOSFET,具有低rDS(on)和优化的BVDSS能力,在应用中具有出色的性能优势。
FAIRCHILD FDD8445 说明书 该文件介绍了FDD8445 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性,包括低RDS(ON),低Miller电荷,低Qrr体二极管,UIS功能,符合AEC Q101标准,RoHS合规等。该产品适用于汽车发动机控制、动力总成管理、电磁阀和电机驱动、电子变速器、分布式电源架构和VRM以及12V系统的主开关等应用。
FAIRCHILD FDD8444 说明书 FDD8444是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET,其特点是典型rDS(on)为4mΩ,典型Qg(10)为89nC,具有低Miller充电和低Qrr体二极管特性,通过了AEC Q101和RoHS认证,可应用于汽车发动机控制、动力传动管理、电磁阀和电机驱动、电子变速器、分布式电源架构和VRM以及12V系统的主开关等
FAIRCHILD FDD8424H_F085A 说明书 FDD8424H_F085A是Fairchild Semiconductor生产的一种双N和P通道增强型功率MOSFET。它具有40V的导通电压和20A的最大电流,开关速度快,符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD8424H 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD8424H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET。其中N-Channel的特点是最大rDS(on)为24mΩ,VGS = 10V,ID = 9.0A时;最大rDS(on)为30mΩ,VGS = 4.5V,ID = 7.0A时。P-Channel的特点是最大rDS(on)为54mΩ,VGS = -10V,ID = -6.5A时;最大rDS(on)为70mΩ,VGS = -4.5V,ID = -5.6A时。此外,该MOSFET具有快速开关速度和符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD7N60NZ / FDU7N60NZ 说明书 FDD7N60NZ / FDU7N60NZ N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,具有RDS(on) = 1.05 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.75A,低栅极电荷 ( Typ. 13nC),低Crss ( Typ. 7pF),快速开关,100% 雪崩测试,改进的dv/dt 能力,改进的ESD能力,RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDD7N25LZ 说明书 FDD7N25LZ 250V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管,它采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术,具有低导通电阻、卓越的开关性能和快速的恢复特性。