FAIRCHILD FDC610PZ 说明书 FDC610PZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道PowerTrench®MOSFET，它具有极低的导通电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用，如负载切换和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC608PZ 说明书 FDC608PZ P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一款由Fairchild Semiconductor制造的高性能MOSFET器件，采用先进的PowerTrench工艺，具有低阻态电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDC604P 说明书 该文档介绍了FDC604P型号的P-Channel MOSFET，采用低压PowerTrench工艺，适用于电池电源管理应用。具有-5.5A，-20V的特性，快速切换速度，极低的RDS(ON)等特点。
FAIRCHILD FDC5614P 说明书 FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET，是由Fairchild公司生产的使用Fairchild的高压PowerTrench工艺制造的60V P-Channel MOSFET，该器件经过优化，可用于电源管理应用。
FAIRCHILD FDC5612 说明书 FDC5612是一款60V N-Channel PowerTrench® MOSFET，专门设计用于改善使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。这些MOSFET具有比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更快的开关速度和更低的门电荷。结果是一款更容易和更安全驱动的MOSFET（甚至在非常高频率下），以及具有更高整体效率的DC/DC电源设计。
FAIRCHILD FDC365P 说明书 FDC365P P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor制造的P型MOSFET，其最大电流为-4.3A，最大导通电阻为55mΩ。
FAIRCHILD FDB8896 说明书 该文件介绍了FDB8896 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，该产品专为提高同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过了低门电荷、低rDS(ON)和快速开关速度的优化。
FAIRCHILD FDP8880/FDB8880 说明书 FDP8880 / FDB8880是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是高性能沟槽技术，能够实现极低的rDS(ON)，低栅极电荷，高功率和电流处理能力，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDB8860 说明书 FDB8860 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(ON)，低Qg(5)的N通道逻辑电平功率MOSFET，具有UIS能力，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDB86135 说明书 FDB86135 N-Channel PowerTrench MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，它具有快速的开关速度、低的门极电荷、非常低的RDS(on)和高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDB86102LZ 说明书 FDB86102LZ是一款N-沟道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏极到源极电压，30A的漏极电流和24mΩ的最大导通电阻。它具有快速的开关速度和非常低的总电荷和栅极-漏极总电荷，适用于DC-DC转换、逆变器和同步整流器等应用。
