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FAIRCHILD FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 13mOhm 数据手册

FDD16AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超级沟槽MOSFET，其特点是Rds(on)为13mOhm(典型值)，Vgs为10V，ID为50A，Qg(tot)为31nC(典型值)，Vgs为10V，低Miller充电，低Qrr体二极管，UIS能力(单脉冲和重复脉冲)，合格AEC Q101，以前为开发型82660。应用包括42V汽车负载控制、起动/交流发电机系统、电子动力转向系统、电子气门杆系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRM、24V和48V系统的主开关。

FAIRCHILD FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 14A, 120mOhm 数据手册

FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 14A, 120mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低漏电流、低导通电阻、高耐压、高耐温的N沟道MOSFET，适用于DC/DC Converters和Off-line UPS、Distributed Power Architectures和VRMs、Primary Switch for 24V and 48V Systems、High Voltage Synchronous Rectifier、Direct Injection / Diesel Injection Systems、Electronic Valve Train Systems等应用场景。

FAIRCHILD FDD10N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

FDD10N20LZ是Fairchild公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为7.6A。该产品具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS合规性等特点。

FAIRCHILD FDD10AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm 数据手册

该文件介绍了FDD10AN06A0 N-沟道功率MOSFET的特点和特性，包括其电阻、电荷和耐压等参数。

FAIRCHILD FDD050N03B N-Channel PowerTrench78 MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDD050N03B N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、低栅电荷、高功率和电流处理能力等。

FAIRCHILD FDC8886 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

FDC8886是Fairchild Semiconductor生产的一种高性能N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为23mΩ，可实现快速开关速度。

FAIRCHILD FDC8884 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDC8878 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDC8878 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDC86244 说明书

FDC86244 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款高性能功率 MOSFET ，具有极低的 rDS(on) ，可实现高速切换，适用于负载开关、同步整流器和主开关等应用

FAIRCHILD FDC8602 说明书

FDC8602是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench MOSFET，具有极低的RDS(on)，高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流应用。

FAIRCHILD FDC8601 说明书

FDC8601是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关、同步整流器和主开关等电路。

FAIRCHILD FDC855N 说明书

FDC855N是Fairchild Semiconductor生产的N通道逻辑级MOSFET，具有30V、6.1A、27mΩ的特点，适用于低压和电池供电的应用场合。

FAIRCHILD FDC658P 说明书

FDC658P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于笔记本电脑应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。

FAIRCHILD FDC658AP 说明书

该文件介绍了FDC658AP单P通道逻辑电平PowerTrench® MOSFET的特点和特性，适用于电池管理、负载开关、电池保护和DC/DC转换等应用。

FAIRCHILD FDC6561AN 说明书

这份文档介绍了1999年4月发布的FDC6561AN双N沟道逻辑电平PowerTrenchTM MOSFET。该产品具有2.5A、30V的电流和电压特性，采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低门电荷，以实现卓越的开关性能。该产品适用于小尺寸设备，特别适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。

FAIRCHILD FDC655BN 说明书

FDC655BN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET，具有极低的RDS(on)、快速开关和低栅极电荷特性。

FAIRCHILD FDC654P 说明书

FDC654P是Fairchild生产的一款P通道逻辑电平MOSFET，适用于电池电源管理应用。它具有低RDS(ON)、低门极电荷和高性能沟槽技术。

FAIRCHILD FDC653N 说明书

FDC653N是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的高密度DMOS工艺，特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMICA卡和其他需要快速切换和低线损的极小型外形表面贴装封装的电池供电电路。

FAIRCHILD FDC6506P 说明书

FDC6506P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺生产，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用场合。

FAIRCHILD FDC645N 说明书

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