FAIRCHILD FQT4N25 250V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1) FQT4N25是飞利浦公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞利浦公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲，适用于高效率的开关DC/DC转换器和开关模式电源。
FAIRCHILD FQT4N25 250V N-Channel MOSFET 说明书(1) FQT4N25是Fairchild生产的一种250V N沟道MOSFET。它的特点是低导通电阻、低栅极电荷、低反向电容，适用于高效率的开关DC/DC转换器和开关电源。
FAIRCHILD FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书 FQT4N20L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，该晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产，该技术专门针对最小化开启状态电阻、提供卓越的开关性能和承受高能量脉冲（在雪崩和换向模式下），这些器件非常适合用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器，用于不间断电源供应、电机控制。
FAIRCHILD FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书 FQT4N20L QFET 是 200V LOGIC N-Channel MOSFET，采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低 RDson、高开关速度、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力和低电平栅极驱动要求等特点。
FAIRCHILD FQT4N20 200V N-Channel MOSFET 说明书(1) FQT4N20是一款200V N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低门控电荷、低跨导等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器、不间断电源、电机控制等场合。
FAIRCHILD FQPF1N60 说明书 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司的FQPF1N60产品，它是一款600V N-Channel MOSFET功率场效应晶体管。该产品采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于高效率开关模式电源。
FAIRCHILD FQPF19N20L 说明书(1) 该文档提供了关于QFET产品的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。QFET是一种具有特殊特性的产品，能够在特定条件下实现高效能和可靠性。它具有出色的性能和稳定的工作特性，广泛应用于各个领域。
FAIRCHILD FQPF20N06 60V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQPF20N06，这是一款60V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有DMOS技术制造。它具有低导通电阻、优越的开关性能和高能量脉冲耐受能力的特点。该器件适用于汽车、DC/DC转换器和便携式电池操作产品中的低电压应用。
FAIRCHILD FQPF19N10L 说明书(1)(1) FQPF19N10L是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为100V，典型导通电阻为0.1欧姆，可用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用。
FAIRCHILD FQPF19N10L 说明书(1) FQPF19N10L是一款100V LOGIC N-Channel MOSFET，具有13.6A、100V、RDS(on) = 0.1Ω @VGS = 10 V等特点。
FAIRCHILD FQPF19N10 说明书 这份文件介绍了一款名为FQPF19N10的N沟道MOSFET功率场效应晶体管。该器件采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
ST PROGRAMMABLE INTRINSICALLY SAFE PRESSURE TRANSMITTER PTM/EX 该产品是一款压力传感器，产品特点包括：压力范围从-5%till +105% FS，可调节至1:4，测量范围为0 … 50 mbar和0 … 1000 bar，输出信号为4 . 20 mA，可为所有常见压力单位mH20、mWs、mWC等进行校准，延时可调，具有反极性和短路保护，可选配有主动温度补偿
