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WORLD-BEAM 光电传感器说明书

该文件介绍了WORLD-BEAMTM光电传感器的产品系列，包括QS18小型自含式光电传感器和QS30长距离对射式传感器等。这些传感器具有小巧的尺寸、高性能和可靠性，并提供多种不同的检测模式和检测距离。

这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQS4900 QFET系列N和P沟道增强型功率场效应晶体管。该系列产品采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻、优良的开关性能和能够承受高能脉冲的能力。适用于电话机等高接口应用。

本文件是关于QFET产品的技术资料。

该文件包含了关于鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯的内容。

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该文件是关于鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。文件中提到了QFET产品，并对其特点进行了介绍。

这是一篇关于FQT13N06 60V N-Channel MOSFET的文档，介绍了该产品的特点和特性，包括低电压应用、低电阻、高效能等。

FQT13N06L是飞兆半导体的60V LOGIC N-Channel MOSFET，具有低压降、低栅极电荷、低跨导、快速开关和改进的dv/dt能力等特点。

FQT2P25是一款250V P-Channel MOSFET，采用Fairchild的专有DMOS技术生产。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击穿和换流能力。适用于高效率开关DC/DC变换器。

FQT2P25是一款250V的P-Channel MOSFET，采用了Fairchild公司的专有DMOS技术。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，非常适用于高效率开关式DC/DC转换器。

FQT3P20是一款200V P通道MOSFET，其特点是低导通电阻、高开关速度、低门极电荷和低Crss，适用于高效率开关DC/DC转换器。

这份文件介绍了FQT3P20型号的产品特点和特性，是一款200V的P-Channel MOSFET功率场效应晶体管，具有低通态电阻，优异的开关性能和耐高能量脉冲的能力。

FQT4N20是Fairchild生产的一种200V N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独特的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于高效率的开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器、不间断电源和电机控制等应用。

FQT7N10L是Fairchild生产的一款100V逻辑N沟道MOSFET，其特点是RDS(on) = 0.35Ω @VGS = 10 V，低门极电荷（典型值为4.6 nC），低Crss（典型值为12 pF），快速开关，改进的dv/dt能力，低电平门极驱动要求，允许直接从逻辑驱动器操作。

FQT7N10是飞思卡尔生产的100V N沟道MOSFET。该器件具有1.7A的持续电流和100V的最大漏源电压。其特点是低导通电阻、低门极电荷、快速切换和改善的dv/dt能力。该器件适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制。

FQT7N10是一款1.7A，100V的N沟道MOSFET，它采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和高抗浪涌能力的特点。这款器件非常适合音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。

U-GAGE T30U系列是既能模拟量输出，又能开关量输出的超声波传感器，具有双开关量输出、按键编程设计、瞬时过压及反极性保护等特点。

FQT5P10是Fairchild生产的一款P型MOSFET，其特点包括低导通电阻、高效率开关性能和高能脉冲承受能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制

FQT5P10是一款P-Channel MOSFET，采用Fairchild公司自有的平面条纹DMOS技术生产。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和对高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

这份文件介绍了FQT5N20 QFET TM FQT5N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低电阻、快速开关和高能量脉冲耐受能力等。