FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 说明书 FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲的功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1)(1) FQPF6N90是900V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1) 该文件介绍了FQPF6N90型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点，包括最小的导通电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换流模式下的高能量脉冲承受能力。该器件非常适用于高效开关模式电源。
FAIRCHILD FQP6N90C/FQPF6N90C 说明书 FQP6N90C/FQPF6N90C是Fairchild生产的高性能N通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关和100%雪崩测试等特点，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6P25 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQPF6P25 250V P通道MOSFET的特点和特性。这些功率场效应晶体管采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1)(1) FQPF70N08是一款由Fairchild制造的N通道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于汽车等低压应用。
FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1) 这份文件介绍了FQPF70N08型号的80V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild独有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(1)(1) FQPF70N10是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC马达控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(1) FQPF70N10是飞思卡尔公司生产的一款100V N通道MOSFET，该器件具有低导通电阻、低门极电容、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点，适用于音频放大、高效率开关DC/DC转换器、DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF7N10 说明书 FQPF7N10是Fairchild生产的一款100V N-Channel MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等特点。
FAIRCHILD FQPF7N10L 说明书 FQPF7N10L是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用场合。
FAIRCHILD FQPF7N10L 数据手册 FQPF7N10L是一款由Fairchild生产的N-通道增强型功率场效晶体管，采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、高浪涌能量等特点，适用于高效率DC/DC转换器、DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF7N20L 说明书 FQPF7N20L是Fairchild生产的一款200V N-Channel MOSFET，其特点是低门极电容和低导通电阻，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQPF7N40 说明书 (1) QFET QFET QFET QFET是鼎好电子自有的集成电路品牌。QFET QFET QFET QFET产品线涵盖MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC JBS、SiC PIN、GaN HEMT等产品，广泛应用于电动汽车、新能源、轨道交通、工控、5G通讯、光伏等领域。
FAIRCHILD FQPF7N60 说明书 FQPF7N60是Fairchild生产的一款600V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQPF7N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF7N60 是 Fairchild Semiconductor 生产的 600V 的 N 沟道 MOSFET，具有 4.3A 的最大连续电流，1.0 欧姆的典型开关电阻，29 nC 的典型栅极电荷，16 pF 的典型栅极电容，100% 的雪崩测试，改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 数据手册 FQP7N65C/FQPF7N65C是富士通生产的650V N通道MOSFET，具有低门极电荷、低漏极-源极电容、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点。该器件适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
