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GENERAL SEMICONDUCTOR BAV19W THRU BAV21W 数据手册

BAV19W THRU BAV21W是德州仪器生产的一款小信号二极管产品，主要特性为反向电压为120V-250V，最大正向电流为250mA，最高工作温度为150℃。

ON Semiconductor 1N6373 − 1N6381 Series (ICTE−5 − ICTE−36, MPTE−5 − MPTE−45) 数据手册

1500瓦峰值功率莫斯伯尔®齐纳瞬态电压抑制器单向*

National Semiconductor DS90LV017A LVDS Single High Speed Differential Driver 数据手册

DS90LV017A是National Semiconductor公司生产的一种单LVDS驱动器设备，其主要特点是支持数据速率超过600Mbps（300MHz），同时具有低功耗特性。该设备采用8引脚小型外形封装，具有流线型设计，便于PCB布局。

NATIONAL SEMICONDUCTOR ADC12DL065 Dual 12-Bit, 65 MSPS, 3.3V, 360mW A/D Converter 说明书

ADC12DL065 是德州仪器的一款高精度模拟-数字转换器（ADC），支持 12 位数字输出。

National Semiconductor LM4121 Precision Micropower Low Dropout Voltage Reference 数据手册

LM4121是一种精密带隙电压参考，具有固定的1.25V和可调节版本，最大可提供5mA的电流源和沉积能力。LM4121可在输入电压低至1.8V和高至12V的情况下工作，供电电流为160µA（典型值）。在关断模式下，器件电流降低至小于2µA。LM4121分为A级和标准级。最佳级别的器件（A级）初始准确度为0.2％，而标准级的初始准确度为0.5％，两者的温度系数均为50ppm/˚C，从−40˚C到+125˚C范围内保证。LM4121的极低工作电压、低供电电流和关断能力使其成为电池供电和便携应用的理想选择。该器件在工业温度范围（−40˚C到+85˚C）内性能保证，而某些规格在扩展温度范围（−40˚C到+125˚C）内保证。LM4121提供标准的5引脚SOT-23封装。

Alliance Semiconductor AS7C513 AS7C3513 5V/3.3V 32K×16 CMOS SRAM

AS7C513/AS7C3513为5V/3.3V 32K×16 CMOS SRAM，具有高速度、低功耗、2.0V数据保留、TTL兼容、三态I/O等特点。

Alliance Semiconductor P1818/19/20/21/22 Low Power Mobile VGA EMI Reduction IC

该文档介绍了Alliance Semiconductor Production的P1818/19/20/21/22低功耗移动VGA EMI减少IC的特点和特性。

ON Semiconductor BZX84C2V4ET1 Series 数据手册

BZX84C2V4ET1系列Zener稳压器是225mW功率、SOT-23表面贴装器件。这些器件专为提供最小空间要求的稳压电压而设计。它们非常适合于诸如手机、便携式电子设备和高密度PC板等应用。

National Semiconductor LM4926 Ground-Referenced, Ultra Low Noise, Fixed Gain, 80mW Stereo Headphone Amplifier 数据手册

LM4926是TI公司推出的一款地线参考、超低噪声、固定增益、80mW立体声耳机放大器。该芯片采用一款新的电路技术，利用充电泵来产生负电压参考电压。这使得输出端可以接地，从而消除了通常在正常单端负载中使用的输出耦合电容。LM4926还具有自动待机模式电路（专利申请中）。当无输入信号时，约12秒后，LM4926将进入低电流待机模式。当输入信号施加到左右输入引脚中任一引脚时，LM4926会立即恢复为全功率工作模式。该特性在电池供电应用中可节省电源电流。

Central Semiconductor CBR1-D010 SERIES DATA SHEET

产品名称：CBR1-D010，供应商信息：145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

Philips Semiconductors BY329F, BY329X series 数据手册

飞利浦半导体BY329F, BY329X系列快速恢复型整流二极管采用玻璃钝化双扩散技术，具有低压降、快速开关和软恢复特性。该系列产品主要用于电视机、监视器和开关电源等应用。

FUJITSU SEMICONDUCTOR MBM29PDS322TE/BE 10/11 DATA SHEET

该数据表格是关于MBM29PDS322TE/BE的，这是一款32M-bit，1.8 V-only Flash memory，它被组织为2M words of 16 bits each. 该设备提供63-ball FBGA封装。该设备设计为在系统中使用标准系统1.8 V VCC供电进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP和5.0 V VCC。该设备还可以在标准EPROM编程器中重新编程。该设备被组织成两个银行，Bank 1和Bank 2，就某些操作而言，可以认为它们是两个独立的存储器阵列。该设备与Fujitsu的标准1.8 V only Flash memories相同，但具有额外的功能，即允许在阵列的非繁忙银行进行正常的非延迟读取访问，而同时在另一银行同时进行嵌入式写入（无论是编程还是擦除）操作。

DALLAS SEMICONDUCTOR DS1801 说明书

DS1801是达尔半导体推出的一款双音频可变电阻器，具有设备范围内的对数电阻特性。每个电位器提供65个触点位置，每个步长为1 dB增量和设备静音。使用CPU的3线串行接口可为用户提供读取或写入两个电位器的精确触点位置的能力。此外，该部件还包含零交叉检测功能，可最大限度地减少由于触点转换而产生的噪声。该部件的封装包括14针PDIP、16针SOIC和14针TSSOP。

TriQuint Semiconductor TGF4112-EPU 12 mm Discrete HFET

TGF4112-EPU 是 TriQuint 生产的一种微波放大器，其典型输出功率为 6.0 瓦，额定功率附加效率为 54.5%，额定增益为 12.7 分贝。

DALLAS SEMICONDUCTOR DS1866 说明书

DS1866是德州仪器生产的单8位对数微调电位计，具有5dB/步分辨率，工作电压范围为2.7V到5.5V，并采用并行接口控制（P0、P1、P2），标准电阻值为10 kΩ，封装形式为8脚DIP和8脚（150）SOIC。

Alliance Semiconductor P2781/82/84 说明书

P2781/82/84是安森美电气公司推出的一款多功能EMI抑制IC，该IC可以产生1X、2X和4X低EMI的频率扩展时钟，输入频率范围为3-78MHz，输出电压范围为3.3V，输出电流范围为10mA。

Samsung Semiconductor Laser (1)

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National Semiconductor MAX4751/MAX4752/MAX4753 数据手册

LM4120是一款精密低功耗低压差基准电压参考，具有高达5mA的输出电流源和汇流能力。该系列参考电压以2V至12V的输入电压工作，供电电流为160µA（典型值）。在断电模式下，器件电流降至2µA以下。LM4120有两个等级（A和标准）和七个电压选项，以提供更大的灵活性。最佳等级设备（A）的初始精度为0.2%，而标准设备的初始精度为0.5%，两者的温度系数均为50ppm/˚C，保证在-40˚C至+125˚C范围内。LM4120的超低压降、低供电电流和断电功能使其成为电池供电和便携应用的理想选择。设备性能在工业温度范围（-40˚C至+85˚C）内有保证，而某些规格在扩展温度范围（-40˚C至+125˚C）内有保证。LM4120提供标准5引脚SOT-23封装。

1989963 CENTRAL SEMICONDUCTOR

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National Semiconductor LMC6484 CMOS Quad Rail-to-Rail Input and Output Operational 数据手册

LMC6484是一款CMOS四路轨对轨输入输出运算放大器。它具有广泛的共模范围和卓越的准确性，适用于需要大输入信号范围的数据采集系统。LMC6484还是TLC274和TLC279等具有有限共模范围放大器的优秀升级选择。它的轨对轨输出摆幅保证在低电压和单电源系统中具有最大动态信号范围。低电压特性和低功耗使得LMC6484非常适合电池供电系统。