FUJITSU SEMICONDUCTOR MBM29PDS322TE/BE 10/11 DATA SHEET

更新: 30 September, 2023

该数据表格是关于MBM29PDS322TE/BE的,这是一款32M-bit,1.8 V-only Flash memory,它被组织为2M words of 16 bits each. 该设备提供63-ball FBGA封装。该设备设计为在系统中使用标准系统1.8 V VCC供电进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP和5.0 V VCC。该设备还可以在标准EPROM编程器中重新编程。该设备被组织成两个银行,Bank 1和Bank 2,就某些操作而言,可以认为它们是两个独立的存储器阵列。该设备与Fujitsu的标准1.8 V only Flash memories相同,但具有额外的功能,即允许在阵列的非繁忙银行进行正常的非延迟读取访问,而同时在另一银行同时进行嵌入式写入(无论是编程还是擦除)操作。


文件格式: PDF

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MD5: 889E7E47DBD8F347EA2F827F1CD8852D

发布时间: 07 May, 2012

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