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National Semiconductor DAC0830/DAC0832 8-Bit µP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 数据手册

DAC0830/DAC0832 8位µP兼容双缓冲D到A转换器。DAC0830是专为与8080、8048、8085、Z80®及其他流行的微处理器直接接口而设计的先进CMOS/Si-Cr 8位乘法DAC。沉积的硅铬R-2R电阻梯形网络分割参考电流，为电路提供出色的温度跟踪特性（温度变化时满量程范围最大线性度误差为0.05%）。电路采用CMOS电流开关和控制逻辑来实现低功耗和低输出泄漏电流误差。特殊的电路提供TTL逻辑输入电压级兼容性。双缓冲允许这些DAC在输出一个数字字时保持下一个数字字，从而允许同时更新任意数量的DAC。DAC0830系列是微处理器兼容DAC系列（MICRO-DAC™）的8位成员。

National Semiconductor DAC088S085 8-Bit Micro Power OCTAL Digital-to-Analog Converter with Rail-to-Rail Outputs 数据手册

DAC088S085是Cypress公司生产的一款8位微功耗模拟数字转换器，采用单电源供电，工作电压范围为2.7V至5.5V，功耗仅为1.95mW。该器件封装在16引脚的LLP和TSSOP中，是同类器件中体积最小的。内置的输出放大器具有开环范围功能，三线串行接口可以在整个工作电压范围内以高达40MHz的速率工作。该器件的串行接口兼容标准SPI™、QSPI、MICROWIRE和DSP接口。另外，该器件还支持级联操作，可以使用单个串行接口同时更新无限数量的DAC088S085。

National Semiconductor DAC0890 Dual 8-bit mP-Compatible Digital-to-Analog Converter 数据手册

DAC0890是一款完整的双8位电压输出数字模拟转换器，可以在单一5V供电下工作。它包含了片上输出放大器、精密带隙电压参考和完整的微处理器接口。每个DAC0890输出放大器都有两个可外部选择的输出范围，分别为0V至2.55V和0V至10.2V。放大器经过内部修整，无需外部用户修整。DAC0890采用20引脚陶瓷DIP封装。

National Semiconductor DAC1006/DAC1007/DAC1008 mP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 数据手册

DAC1006、DAC1007、DAC1008是先进的CMOS-Si-Cr 10-9位和8位的精确乘法DAC，设计用于直接与8080、8048、8085、Z-80和其他流行的微处理器接口。这些DAC出现为内存位置或I/O端口，不需要接口逻辑。这些设备与外部放大器和电压参考结合使用，可用作标准的D-A转换器，在乘法应用中非常有吸引力（例如数字控制增益块），因为它们的线性误差基本上独立于电压参考。它们在音频信号处理设备中作为音频增益控制器或可编程衰减器同样具有吸引力，将高质量的音频信号处理与基于微处理器控制的数字系统相结合。所有这些DAC都是双缓冲的，它们可以加载所有的10位或两个8位字节，数据格式是左对齐的。这些DAC的模拟部分基本上与DAC1020相同。DAC1006系列是与微处理器兼容的DAC系列（MICRO-DACs）的10位成员。对于需要其他分辨率的应用，可以选择DAC0830系列（8位）和DAC1208和DAC1230（12位）。

National Semiconductor DAC101S101 10-Bit Micro Power Digital-to-Analog Converter with Rail-to-Rail Output 数据手册

DAC101S101 是亚德诺半导体推出的一款10位微功率数字-模拟转换器，具有电压输出和可扩展的接口，工作电压范围为+2.7V至5.5V，功耗仅为175 µA。

National Semiconductor MICRO-DAC TM DAC1208/DAC1209/DAC1210/DAC1230/ DAC1231/DAC1232 12-Bit, mP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 数据手册

该文件介绍了TL�H�5690 MICRO-DAC DAC1208�DAC1209�DAC1210�DAC1230�DAC1231�DAC1232 12-Bit� mP Compatible� Double-Buffered D to A Converters的特点和特性。

National Semiconductor DAC1218/DAC1219 12-Bit Binary Multiplying D/A Converter 数据手册

DAC1218和DAC1219是12位二进制四象限乘法型D-A转换器。这些转换器的线性度、差分非线性度和单调性规格在温度范围内都保证符合要求。此外，这些参数是根据标准的零点和满量程调整程序来指定的，而不是不切实际的最佳拟合直线保证。通过使用先进的硅铬（SiCr）R-2R电阻梯度网络来实现这种精度水平。这种薄膜电阻器消除了扩散电阻器所带来的寄生二极管问题，并且使应用的参考电压能够在逻辑供电电压范围内范围从-25V到25V，CMOS电流开关和驱动电路用于实现低功耗（典型值20 mW）和最小化输出泄漏电流误差（最大值10 nA）。独特的数字输入电路在整个操作供电电压范围内保持TTL兼容的输入阈值电压。DAC1218和DAC1219是AD7541系列、AD7521系列和AD7531系列的直接替代品，线性度规格有显著改进。在需要将D-A转换器直接接口到微处理器总线的应用中，DAC1208系列和DAC1230系列消除了对附加器件的需求。

National Semiconductor DAC1208/DAC1209/DAC1210/DAC1230/DAC1231/DAC12332 数据手册

这是一篇关于DAC1230LCD-1的技术文档

Agilent Technologies Analysis of Impurities in Semiconductor Grade TMAH using the Agilent 7500cs ICP-MS

该应用笔记展示了一种新型高灵敏度反应室电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）适用于半导体级四甲基铵氢氧化物（TMAH）中无机杂质的测定

Agilent Technologies Analysis of Impurities in Semiconductor Grade Sulfuric Acid using the Agilent 7500cs ICP-MS

本文演示了新开发的高灵敏度反应池电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）在半导体级硫酸中无机杂质测定中的适用性。使用具有高灵敏度的八极反应系统（ORS）版本的Agilent 7500cs ICP-MS，分析了半导体工业所需的硫酸中的所有金属。增强的ORS消除了所有干扰K、Ca、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu和Zn等元素测量的等离子体和基质多原子。此外，所有分析物都可以在高等离子体功率下测量，以促进等离子体中硫酸的完全分解。这导致了高信号稳定性和例行维护频率的降低。样品制备是简单的10倍稀释，然后直接分析，从而显著降低了蒸发基质消除技术常遇到的样品污染的可能性。

FAIRCHILD semiconductor 74LCX00 Low Voltage Quad 2-Input NAND Gate with 5V Tolerant Inputs 数据手册

74LCX00是一款低压四输入与非门，具有5V耐受输入。它采用CMOS技术制造，实现高速操作和低功耗。

FAIRCHILD semiconductor 74LCX00 Low Voltage Quad 2-Input NOR Gate with 5V Tolerant Inputs 数据手册

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FAIRCHILD semiconductor 74LCX02 Low Voltage Quad 2-Input NOR Gate with 5V Tolerant Inputs 数据手册

74LCX02是一款低压四输入NOR门，具有5V容忍输入的特点。

DYNEX SEMICONDUCTOR DS2002SF Rectifier Diode 数据手册

该文件介绍了DS2002SF整流器二极管的特点和特性，包括双面冷却、高浪涌能力等。主要应用于整流、自由轮二极管、直流电机控制、电源供应、焊接和电池充电器等领域。

National Semiconductor DS2003 High Current/Voltage Darlington Drivers 数据手册

DS2003是由七对高压高电流NPN达林顿晶体管组成，具有共射开漏输出。为了最大限度地提高其效果，这些单元包含了用于感性负载的抑制二极管和适当的发射极基极电阻用于泄漏。DS2003对于许多接口需求提供了解决方案，包括电磁线圈、继电器、灯、小型电机和LED等。可以通过并联输出来适应需要超过单个输出能力的沉降电流。

National Semiconductor DS2003/DS9667/DS2004 High Current/Voltage Darlington Drivers 数据手册(1)

DS2003、DS9667、DS2004是由七个高压高电流NPN达林顿晶体管对组成的。所有单元都具有共发射极开集电极输出。为了最大限度地提高效果，这些单元包含了用于感性负载的抑制二极管和适当的漏极基极电阻。DS2003、DS9667在每个达林顿对之间有一个串联基极电阻，因此可以直接与5.0V供电的TTL或CMOS配合使用。DS2004有一个适当的输入电阻，可以直接与6.0V至15V供电的CMOS或PMOS输出配合使用。DS2003、DS9667、DS2004可满足许多接口需求，包括电磁铁、继电器、灯泡、小型电机和LED。需要超出单个输出能力的接收电流的应用可以通过并联输出来实现。

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