ZH8506 可燃气体探测器 安装使用说明书 ZH8506 可燃气体探测器是山东众海公共安全器材有限公司生产的可燃气体探测器，它采用半导体传感器做气敏元件，对空气中可燃气体浓度进行采样，探测器内部的 CPU 对信号进行处理和判断，并准确、快速地发出报警信息。
ZH8525 声光报警器 安装使用说明书 ZH8525A和ZH8525B是一种安装在现场的声光报警装置，用于火灾报警。它们采用了SMT贴片工艺，工作稳定可靠。ZH8525A是非编码型，经济实用，满足普通用户的需求。ZH8525B是编码型，无需输出控制模块驱动，可直接联接在报警总线中。
ON Semiconductor BTA16-600SW3G/BTA16-800SW3G 说明书 BTA16-600SW3G, BTA16-800SW3G 双向晶闸管，采用TO-220AB封装，具有800V的阻断电压，16A的额定电流，250V/μs的dv/dt，2A/μs的di/dt。
BTA2008 series D and E 数据手册(1)(1) BTA2008系列D和E型0.8 A三象限晶闸管高开关特性，具有保证开关性能、敏感栅极的特点，易于与低功率驱动器(包括微控制器)接口，适用于电机控制和电磁阀驱动。
STMICROELECTRONICS STP7NB80 STP7NB80FP N - CHANNEL 800V - 1.2Ω - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET 数据手册 该文件介绍了STP7NB80和STP7NB80FP两款N沟道800V功率MOSFET的特点和性能，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、非常低的固有电容和最小化的门电荷。
ST STP7NC80Z - STP7NC80ZFP STB7NC80Z - STB7NC80Z-1说明书 stp7nc80z是鼎好品牌的一款n-channel 800v - 1.3Ω - 6.5a to-220/fp/d2pak/i2pak zener-protected powermesh™iii mosfet，具有非常低的门输入电阻和最小化的门电荷。
ST STP7NC80Z - STP7NC80ZFP STB7NC80Z - STB7NC80Z-1 说明书 STP7NC80Z - STP7NC80ZFP STB7NC80Z - STB7NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.3Ω - 6.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET 是一款 800V 超低 Rds(on) 栅极二极管保护功率 MOSFET ，主要应用于单端 SMPS 、监视器、计算机和工业应用。
brother HL-5270DN/5280DW 使用手册 这是一份为视障用户准备的Brother激光打印机用户指南。指南介绍了如何使用屏幕阅读器软件来阅读本指南，并提供了硬件设置和驱动安装的步骤。用户在使用打印机之前需要先完成硬件设置和驱动安装。指南还提供了快速设置指南的信息和网站链接，供用户参考。
ST STP7NK80Z - STP7NK80ZFP STB7NK80Z - STB7NK80Z-1 说明书 STP7NK80Z - STP7NK80ZFP STB7NK80Z - STB7NK80Z-1 是ST公司的N-CHANNEL800V-1.5Ω - 5.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK/D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET, 具有非常好的dv/dt能力，可用于高电流、高速度切换、SMPS等应用。
SGS-THOMSON STP80N03L-06 说明书 STP80N03L-06是德州仪器推出的一款N沟道增强型高密度功率MOS晶体管，其特点是典型RDS(on)为0.005欧姆，具有电压应力高、电流容量大、工作温度范围广等优点，可应用于高频、高功率开关电路、电机驱动、DC-DC/DC-AC转换器等场合。
SGS-THOMSON STP80N03L-06 说明书(1) STP80N03L-06是STMicroelectronics生产的一款高性能N沟道增强型超高密度功率MOSFET。该器件具有优异的导通电阻(RDS(on))和高耐压特性，可在高温、高电压下稳定工作。STP80N03L-06适用于各种高频、大功率应用，如电机控制、DC-DC转换器和逆变器等。
SGS-THOMSON STP80N05-09 说明书 STP80N05-09是鼎好旗下的N沟道增强型超高密度功率MOS晶体管,其典型RDS(on)为7m欧,拥有超高密度技术、低门极电荷、高电流能力和175℃工作温度。应用范围包括同步整流器、高电流、高速度开关和DC-DC&DC-AC转换器。
SGS-THOMSON STP6NA80 STP6NA80FI 说明书 STP6NA80是STMicroelectronics公司的N沟道增强型高速功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为1.68欧姆，栅极到源极电压额定值为±30V，100%雪崩测试，重复雪崩数据在100oC，低固有电容，栅极电荷最小化，降低阈值电压分散。
ST STP6NA80/STP6NA80FI 说明书 该文件介绍了STP6NA80和STP6NA80FI型号的N沟道增强模式快速功率MOS晶体管的特点和特性，包括低RDS(on)和栅极电荷、卓越的耐用性和优异的开关性能。
