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更新: 30 September, 2023
STP6NA80是STMicroelectronics公司的N沟道增强型高速功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为1.68欧姆，栅极到源极电压额定值为±30V，100%雪崩测试，重复雪崩数据在100oC，低固有电容，栅极电荷最小化，降低阈值电压分散。
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MD5: 8DB77144722D1461746EF7BC023ECAA1
发布时间: 01 April, 2012
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连接: SGS-THOMSON STP6NA80 STP6NA80FI 说明书 PDF