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IXYS IXFC 80N10 数据手册

该文件介绍了IXYS公司的一款N-Channel Enhancement Mode高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列的HiPerFETTM MOSFET产品。该产品具有ISOPLUS220TM特性，采用硅芯片和直接铜键合基板，具有高功率耗散、隔离安装表面和2500V电气隔离等特点。此外，该产品还具有低漏极到导热片电容(<35pF)、低RDS (on)和坚固的多晶硅栅电池结构等特性。

IXYS IXFC 15N80Q 数据手册

这是 IXFC 15N80Q 数据表。IXFC 15N80Q 是一款 Q 类 N 通道增强型击穿额定、高 dv/dt、低 Qg 的 HiPerFETTM ISOPLUS 220TM MOSFET。它具有以下特点：硅芯片直接铜键合基板 - 高功耗耗散 - 隔离安装表面 - 2500V 电气隔离 - 低漏极到标签电容 (<35pF) - 低 RDS (on) - 坚固的多晶硅栅极单元结构 - 未箝制感性开关 (UIS) 额定 - 快速固有整流器。应用领域包括 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC 斩波器和 AC 电机控制。优点包括易于组装：无需螺钉或隔离箔 - 节省空间 - 高功率密度

IXYS IXFB 80N50Q2 数据手册

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IXYS IXFB38N100Q2 数据手册

该数据表提供了IXYSEPLUS264TM(IXFB)的产品信息，包括最大额定值、特性值、特性、应用、优点等。

HiperFETs I X Y S CORP 4686226 0000573

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IXYS IXFH/IXFM11N80, IXFH/IXFM13N80 数据手册

IXFH/IXFM 11N80和13N80是IXYS公司的高压N沟道增强型功率MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt和低trr特性，采用TO-247和TO-204封装。

HiperFETs I X Y S CORP 4686226 0000573

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IXYS IXFH 15N80Q, IXFT 15N80Q 数据手册

该文件介绍了IXYS公司的高功率MOSFET产品，包括特点和特性，如低RDS(on)，易于安装，空间节省，高功率密度等。

IXYS IXFH14N80, IXFH15N80 数据手册

14N80和15N80是IXYS公司生产的高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列N沟道增强型功率MOSFET，其特点包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、未钳制感性开关（UIS）额定、低封装电感、易于驱动和保护、快速内在整流器，应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器、交流电动机控制、温度和照明控制、低压继电器等。

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