Hittite HMC204C8 数据手册 HMC204C8 是Hittite Microwave Corporation 生产的一种射频频率双倍器，工作频率范围为4-8GHz，输入功率范围为+10dBm-+15dBm，具有体积小、无需直流偏置、无可测量相位噪声等特点。
Hittite HMC204MS8G 数据手册 HMC204MS8G 是Hittite Microwave 公司生产的一种4-8GHz输入频率的被动式频率倍增器。它具有17dB的转换损耗，42dB的隔离度，无需直流偏置，外形尺寸小，封装为8引脚的MSOP。
Hittite HMC207S8 数据手册 HMC207S8是微波公司的一款双平衡混频器，工作频率范围为0.7-2.0GHz，LO/IF隔离度为45dB，LO/RF隔离度为40dB，IP3为+17dBm。
Hittite HMC208MS8 数据手册 HMC208MS8是Hittite公司生产的一款超小型GaAs MMIC SMT双平衡混频器，工作频率范围为0.7-2.0GHz，频率转换损耗为9dB，LO/RF隔离度为24dB，IP3（输入）为+17dBm。
Hittite HMC210MS8 数据手册 HMC210MS8是Hittite Microwave公司的一款GaAs MMIC电压可变衰减器，工作频率范围为1.5 - 2.3 GHz，具有单正电压控制、高衰减范围和高输入IP3等特点，适用于基站基础设施、便携式无线和MMDS等应用场合。
Hittite HMC214MS8 / 214MS8E 数据手册 该文档介绍了HMC214MS8 / 214MS8E高IP3 GaAs MMIC MIXER的特点和特性，包括+34 dBm的输入IP3，28 dB的LO到RF隔离度，+22 dBm的输入P1dB，无需外部组件等。
Hittite HMC216MS8 数据手册 HMC216MS8是Hittite公司生产的一款GaAs MMIC SMT双平衡FET混频器，工作频率为1.3-2.5GHz，具有高转换损耗、低噪声、高LO到RF隔离特性，适用于基站、无线LAN、PCMCIA等应用。
Hittite HMC218MS8 数据手册 HMC218MS8是Hittite Microwave公司生产的一种超小型双平衡混频器，它采用GaAs肖特基二极管和芯片上的新型平面变压器巴伦构造，具有非常好的性能，非常适用于UNII和HiperLAN、便携式无线和PCMCIA等应用场合。
Hittite HMC224MS8 数据手册 HMC224MS8 是 Hittite 公司出品的低成本 5-6GHz GaAs MMIC T/R 开关，其特点是体积小，输入 P1dB 高达 +33 dBm，单一正向电源供电范围为 +3 至 +8V。
Hittite HMC230MS8 数据手册 HMC230MS8是Hittite Microwave公司生产的一款数字衰减器，工作频率范围为0.75-2.0GHz，插入损耗典型值为1.8dB，可衰减28dB，精度为±0.5dB，支持0-5V单电压控制。
Hittite HMC232C8 数据手册 HMC232C8是一款宽带高隔离的非反射式GaAs MESFET SPDT开关，适用于DC至8.0 GHz频段。具有超过55 dB的隔离度（2 GHz）和超过42 dB的隔离度（8.0 GHz）。该开关通过互补的负控制电压逻辑线（-5/0V）工作，不需要偏置电源。
Hittite HMC232G8 数据手册 HMC232G8是Hittite公司生产的一种高隔离GaAs MMIC SMT SPDT开关，工作频率范围为DC至6.0GHz，隔离度为48dB@2.0GHz和34dB@6.0GHz，插入损耗为1.5dB Typical @ 4.0 GHz，无需偏置电源。
Hittite HMC233G8 数据手册 HMC233G8是希捷微波公司生产的一款GaAs MMIC高隔离SPDT开关，工作频率范围为DC-6.0GHz，隔离度大于44dB（2GHz），插入损耗典型值为1.5dB（4GHz），采用非反射式设计，封装形式为金属陶瓷封装。
Hittite HMC234C8 数据手册 HMC234C8 GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz是一款高性能的GaAs MMIC SMT高隔离SPDT开关，隔离度高达52 dB，插入损耗小于2 dB，适用于电信基础设施、微波射频和VSAT、军用雷达、测试仪器等领域。
Hittite HMC239S8 数据手册 这份文档介绍了HMC239S8型号的低成本GaAs MMIC SPDT开关的特点和特性。该开关适用于需要极快的切换速度和最小插入损耗的低功率或中功率应用。它可以控制从直流到2.5 GHz的信号。两个控制电压需要最小量的直流电流，非常适合电池供电的无线电系统。
Hittite HMC258 数据手册 HMC258是Hittite公司生产的一种微波混频器，它是单端的，采用 GaAs MESFET 技术，面积小，2LO 到 RF 隔离性很好，可用作上变频器或下变频器。
Hittite HMC258LM3 数据手册 HMC258LM3是Hittite Microwave公司生产的一款14-20GHz的表面贴装亚谐振（x2）MMIC混频器，采用集成LO放大器，封装为LM3 SMT引脚无引线芯片载体
