FAIRCHILD FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mΩ 说明书 该文件介绍了FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET的特点和特性，包括其电阻、总电荷、Miller电荷、体二极管电荷、UIS能力等。该产品适用于汽车负载控制、起动机/发电机系统、电子动力转向系统、电子气门控制系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源架构和VRM以及24V和48V系统的主开关。
FAIRCHILD NC7SP08 数据手册 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的NC7SP08 TinyLogic ULP 2-Input AND Gate产品。该产品是一种单个的2输入与门，适用于对电池寿命要求较高的应用。其特点包括超低功耗、0.9V至3.6V的工作电压范围、超低静态和动态功耗、静态驱动电流为±2.6 mA至±20 µA等。
FAIRCHILD NC7SP08 TinyLogic ULP 2-Input AND Gate 说明书 NC7SP08是Fairchild的Ultra Low Power(ULP)系列TinyLogic的单个2输入AND门。适用于电池寿命至关重要的应用，此产品设计用于在0.9V至3.6V VCC操作范围内实现超低功耗。内部电路由包括输出缓冲器在内的最少反相器级组成，以实现超低静态和动态功耗。NC7SP08专为降低驱动要求而设计，具有独特的设计，可优化功率和速度，并采用先进的CMOS技术制造，可实现同类最佳速度操作，同时保持极低的CMOS功耗消耗。
FAIRCHILD NC7SP08 TinyLogic ULP 2-Input AND Gate 说明书 该文件是关于NC7SP08的技术资料。NC7SP08是一款2输入AND门，适用于电池寿命至关重要的应用。它设计用于0.9V到3.6V的VCC电源范围内的超低功耗。内部电路由最少的反相器级包括输出缓冲器组成，以实现超低静态和动态功耗。该产品专门设计用于优化的功率和速度，并且使用先进的CMOS技术制造，可在保持极低的CMOS功耗的同时实现最佳的速度操作。
FAIRCHILD FQPF2N80 800V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1) FQPF2N80是一款800V N沟道MOSFET功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有DMOS技术制造。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQPF2N80 800V N-Channel MOSFET 说明书(1) FQPF2N80 是一款 800V 的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、低门控电荷、低栅极 - 源极电容、快速开关速度和 100% 的雪崩测试，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF3N80 数据手册 FQPF3N80是Fairchild公司生产的800V N沟道MOSFET，其特点是1.8A、800V、RDS(on) = 5.0Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为7.0 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF3N80 说明书 FQPF3N80是800V N沟道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能，可承受高能脉冲，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP3N80C/FQPF3N80C 数据手册 FQP3N80C/FQPF3N80C是一款800V N沟道MOSFET功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQP3N80C/FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF44N08 80V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF44N08 N-Channel MOSFET 是一种由Fairchild生产的增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。适用于汽车、高效率DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
AKER - www.aker-usa.com 11-3 Chien-Kuo Rd T.E.P.Z. 4027 Taiwan, ROC CA-12.000-18-3050-X 说明书 本文件为CA-12.000-18-3050-X 晶体谐振器的规格说明书，包含了产品的频率、温度范围、负载电容等参数。
NEC N850手机 说明书 该文件是NEC N850 第一版（2005 年 4月）用户手册，介绍了该手机的使用注意事项和紧急电话服务。手册提醒用户保持手机干燥，避免暴露在极端温度下，不要让手机受到撞击或强力挤压，以及注意电池使用和回收。同时，手册还提醒用户在飞机上关闭手机并取出电池。
AKER - www.aker-usa.com 11-3 Chien-Kuo Rd T.E.P.Z. 4027 Taiwan, ROC C-4.9152-18-3050-X 说明书 这是一份关于C-4.9152-18-3050-X Quartz Crystal Unit HC-49/U-Through Hole产品的规格说明书。
