ST AN2386数据手册 该应用笔记介绍了MOSFET阈值电压温度系数（TVTC）的计算方法。TVTC是MOSFET在线性区运行时发生热失控的主要原因之一。TVTC越小，MOSFET在线性区运行时的安全性越高。
ST AN2385 数据手册 本文介绍了现代功率MOSFET器件的重要参数，包括功耗及其线性降额因子、硅限制漏极电流和脉冲漏极电流。文档解释了这些参数是什么以及如何计算，对于客户理解和阅读功率MOSFET数据手册有很大帮助。
ST AN1387 APPLICATION NOTE 数据手册 介绍了STMicroelectronics的新型电力设备的特点，该设备融合了STMicroelectronics快速开关PowerMESH™IGBT的特点和一些新型保护功能。电力设备中集成了驱动电路，以实现过电流保护和软热关断。电流限制还确保了高短路定额的设备。此外，低阈值电压和输入电流使其能够直接从微处理器的输出引脚驱动该设备。将说明该设备的静态和动态行为，并建议使用一种应用。
ST AN1485 数据手册 介绍了一种新型高压MOSFET结构，该结构在静态和动态性能方面远远超过传统的功率MOSFET器件。该器件的特殊特性对DC-DC升压转换器的影响已在一个案例中分析和量化，该DC-DC升压转换器用于功率因数校正器(PFC)转换器。讨论了对该组件的电气和热行为进行分析所得出的结果。
