intersil HUF76105DK8 数据手册 HUF76105DK8是Intersil公司生产的一款低导通电阻（RDS(ON) = 0.050 Ω）的N沟道功率MOSFET，工作电压为30V，最大电流为5A。该器件适用于需要高功率效率的应用场合，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理。
SST 2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A Data Sheet(1) 该文件介绍了Silicon Storage Technology公司的SST39LF/VF200A/400A/800A系列产品的特点和特性，包括组织结构、电压要求、可靠性、低功耗、擦除和编程速度等。
SST 2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A Data Sheet(1)(1) 这是一个产品说明书，介绍了 SST39LF200A/400A/800A 这几款产品的特点特性。
intersil HUF76121SK8 数据手册 HUF76121SK8是Intersil公司生产的一款N沟道电源MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造。该工艺技术可实现最低的硅面积开关电阻，从而实现卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它设计用于在功率效率很重要的应用中使用，例如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。以前为开发型号TA76121。
intersil HUF76131SK8 数据手册 本文件是关于HUF76131SK8 10A, 30V, 0.013 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET的技术手册，介绍了该产品的特点特性
intersil HUF76132SK8 数据手册 该产品是一款N沟道电源MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有极低的开关电阻，可用于要求高功率效率的应用场景，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理
CALIFORNIA MICRO DEVICES G65SC816 CMOS 8/16-BIT MICROPROCESSOR FAMILY(1) 该文档介绍了某品牌产品的特点特性，包括品牌、型号、功能、价格等信息。
intersil HCTS299MS Radiation Hardened 8-Bit Universal Shift Register; Three-State 数据手册 HCTS299MS 是 Intersil 公司生产的 8 位通用移位寄存器，具有三态功能。该产品采用 3 微米的辐射致硬化 CMOS SOS 工艺，具备 200K RAD (Si) 总剂量、>100 MEV-cm2/mg SEP 有效 LET 无故障、< 2 x 10-9 错误/位天 (典型值) 的单事件扰动 (SEU) 免疫力、>1 x 1012 RAD (Si)/s 剂量率生存能力和>1010 RAD (Si)/s 20ns 脉冲的剂量率扰动。该产品不受任何条件的锁存影响，并支持 15 LSTTL 负载的总线驱动器输出。
inter‘sil HCTS86MS DATA SHEET 该文件是Intersil HCTS86MS Radiation Hardened Quad 2-Input Exclusive OR Gate的datasheet。
Subminiature PCB Power Relay HG4183 HG4183是一款小型PCB功率继电器，其特点是操作时间短、绝缘电阻高、电击强度大、耐震性好、抗振性好、工作温度范围广，适用于各种电路中。
inter'sil HIP4081A DATA SHEET HIP4081A是一款高频、中压全桥N通道FET驱动器IC，可驱动除了可能导致短路条件的组合之外的所有开关组合。HIP4081A可在1MHz的频率下进行切换，非常适用于驱动音圈电机、高频开关功率放大器和电源。该产品具有短的传播延迟，可实现精确控制。
INTER'SIL HM-65262/883 DATA SHEET 该文件介绍了一种204 TM March 1997 HM-65262/883 16K x 1异步CMOS静态RAM的特点和特性，包括快速访问时间、低待机电流、低工作电流、数据保持能力、TTL兼容输入输出等。
SIEMENS HYB3117805BSJ-50/-60/-70 Data Sheet HYB3117805BSJ-50/-60/-70 2M x 8-EDO DRAM 是 16 MBit 的动态 RAM，组织为 2 097 152 个字节，每个字节 8 位。该器件采用亚微米 CMOS 硅栅工艺技术以及先进的电路技术，可提供内部和系统用户广泛的操作裕度。多路复用地址输入允许 HYB3117805BSJ 封装在带有 400 毫米宽度的标准 SOJ 28 塑料封装中。这些封装提供高系统位密度，并且与常用的自动测试和在线测试设备兼容。
FDT IDT54/74FCT841AT/BT/CT/DT DATA SHEET FCT8xxT系列是采用先进的双金属CMOS技术构建的。FCT8xxT总线接口锁存器旨在消除缓冲现有锁存器所需的额外封装，并为更宽的地址/数据路径或携带奇偶校验的总线提供额外的数据宽度。FCT841T是受欢迎的FCT373T功能的缓冲、10位宽版本。它们非常适合用作需要高IOL/IOH的输出端口。所有的FCT8xxT高性能接口系列都可以驱动大的电容负载，并在输入和输出端口提供低电容总线负载。所有输入都有接地的钳位二极管，所有输出都设计为在高阻态下具有低电容总线负载。
intersil ISL6123, ISL6124, ISL6125, ISL6126, ISL6127, ISL6128 数据手册 ISL6123, ISL6124, ISL6125, ISL6126, ISL6127, ISL6128 是一款四通道电源控制器，支持供电监控、故障保护和“序列完成”信号（RESET#）。
