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更新: 30 September, 2023
HYB3117805BSJ-50/-60/-70 2M x 8-EDO DRAM 是 16 MBit 的动态 RAM，组织为 2 097 152 个字节，每个字节 8 位。该器件采用亚微米 CMOS 硅栅工艺技术以及先进的电路技术，可提供内部和系统用户广泛的操作裕度。多路复用地址输入允许 HYB3117805BSJ 封装在带有 400 毫米宽度的标准 SOJ 28 塑料封装中。这些封装提供高系统位密度，并且与常用的自动测试和在线测试设备兼容。
文件格式: PDF
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MD5: 18D9FF2806A203E60076ED1FC720A09B
发布时间: 11 June, 2012
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连接: SIEMENS HYB3117805BSJ-50/-60/-70 Data Sheet PDF