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松下 LNA2802L(LN68) 说明书

该文件介绍了一种红外发光二极管产品，具有高功率输出、高效率、长寿命、高可靠性等特点。该产品适用于光控系统，具有与硅光电探测器匹配的发光光谱。

National Semiconductor LPC661 Low Power CMOS Operational Amplifier 数据手册

LPC661是National Semiconductor公司生产的一款低功耗CMOS运算放大器，采用了National Semiconductor公司先进的Double-Poly Silicon-Gate CMOS工艺。该器件具有宽的供电电压范围（+5V至+15V），输出摆幅达到了电源电压的范围，并且在输入共模电压范围内可以提供地电平输出。该器件的性能指标优于大多数的双极型运算放大器，其供电电流仅为55μA。

西门子 LS T776, LA T776, LO T776 LY T776 说明书

Hyper TOPLED® RG Hyper-Bright LED LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 是绿色发光二极管，具有高亮度、低电压和低电流的特点，适用于背光、光纤和透镜耦合。

LINEAR LT1494/LT1495/LT1496 数据手册

LT1494/LT1495/LT1496是最低功耗（IS≤1.5µA）精密规格运算放大器。该器件的极低供电电流与出色的放大器规格相结合：输入偏置电压为375µV，典型漂移仅为0.4µV/°C，输入偏置电流为100pA。最低开环增益（AVOL）为100V/mV，可确保增益误差小。器件的特性在2.2V至±15V的供电范围内变化不大。电源纹波抑制比为90dB，差模抑制比为90dB。该器件可在3V、5V和±15V电源下工作。反向电池保护（–18Vmin）和在正电源上工作的输入使LT1494/LT1495/LT1496易于在恶劣环境中使用。放大器的低偏置电流和偏置电流允许使用兆欧级源电阻，而不会引入显著误差。

LINEAR LT1680 High Power DC/DC Step-Up Controller 数据手册

LT1680是一款高功率、电流模式的开关电源控制器，适用于提升拓扑结构。该IC可驱动N沟道MOSFET开关，输入电压高达60V。高电流的门极驱动输出可处理高达10,000pF的门极电容，可用于构建高功率的DC/DC转换器。电流感测的共模范围高达60V，可将电流感测参考到输入电源，无需使用感测屏蔽电路。LT1680具有可编程的平均电流限制功能，可准确限制磁性部件中的直流电流，独立于纹波电流。用户可调节的斜率补偿功能能够在占空比高达90%时实现稳定运行。LT1680的工作频率可编程，并可同步至200kHz。最小关断时间操作可提供开关保护。该IC还具有软启动功能，由关断和欠压锁存条件控制。

LINEAR LTC1064-4 说明书

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LINEAR LTC1569-7 Linear Phase, DC Accurate, Tunable, 10th Order Lowpass Filter 数据手册

LTC1569-7是一款10阶低通滤波器，具有线性相位和根升余弦幅度响应。LTC1569-7的高选择性与通带中的线性相位相结合，使其适用于数据通信和数据采集系统中的滤波。

LINEAR LTC2248/LTC2247/LTC2246 14-Bit, 65/40/25Msps Low Power 3V ADCs 数据手册

LTC2248 / LTC2247 / LTC2246是14位65Msps / 40Msps / 25Msps的低功耗3V A / D转换器，适用于数字化高频率、宽动态范围信号。适用于要求高的成像和通信应用。

ST M082/A-M083/A-M086/A DATA SHEET

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ESMT Preliminary M12L128168A 数据手册

该文件介绍了ESMT Preliminary M12L128168A芯片的特点和特性。

ST M24C64 M24C32 数据手册

M24C64和M24C32是64Kbit和32Kbit的串行I²C总线EEPROM，具有两线I2C串行接口，支持400kHz协议，单电源电压为4.5至5.5V，具有写控制输入、字节和页写（最多32字节）、随机和顺序读模式、自定时编程周期、自动地址递增、增强的ESD/锁存保护、超过100万次擦除/写入周期、超过40年的存储数据保持期。

SGS-THOMSON M2716 数据手册

M2716是一种16,384位UV可擦除和电可编程存储器EPROM，非常适合需要快速周转和图案实验的应用。M2716采用24针Window Ceramic Frit-Seal Dual-in-Line封装。透明盖允许用户将芯片暴露在紫外线下以擦除位图案。然后可以通过遵循编程过程将新图案写入设备。

ST M27C4002 4 Mbit (256Kb x16) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C4002是4Mbit的EPROM，提供UV和OTP两种擦除方式。它非常适合需要大程序的微处理器系统，并且组织为262,144个16位字。

ST M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM 和 OTP EPROM 的特点总结

ST M29F200T M29F200B 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F200T and M29F200B are 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory. It features fast access time, fast programming time and low power consumption.

ST M29W641DH, M29W641DL M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory产品特点包括电源电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除挂起和恢复模式、解锁旁路编程命令、写保护选项、临时块非保护模式、公共闪存接口、扩展存储块、低功耗消耗和电子签名

samsung SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 May 2004 数据手册

M366S0924FTS is a 64MB SDRAM unbuffered DIMM based on 128Mb F-die. It supports 62/72-bit non ECC and ECC.

ST M48T35 M48T35Y 256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册

M48T35, M48T35Y是美国微芯科技公司生产的256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM，内置超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池，具备字节宽度RAM一样的时钟访问、BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒、实时时钟的频率测试输出、自动电源故障芯片解除选择和写保护功能，写保护电压为4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V，4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V，内置电池和晶振的CAPHAT DIP封装，SOIC封装提供直接连接SNAPHAT外壳，包含电池和晶振的SNAPHAT®外壳是可替换的，与JEDEC标准的32Kb x8 SRAM兼容。

ST M48T58 M48T58Y5.0V, 64Kbit(8Kbx8) TIMEKEEPER SRAM 数据手册

M48T58 M48T58Y 5.0V, 64 Kbit (8 Kb x 8) TIMEKEEPER® SRAM是东芝公司的一款集成超低功耗SRAM,实时时钟，电源故障控制电路和电池的产品。该产品具有BCD编码的YEAR，MONTH，DAY，DATE，HOURS，MINUTES和SECONDS；频率测试输出用于实时时钟；自动电源故障芯片失选和写保护；写保护电压（VPFD=电源故障失选电压）：- M48T58：VCC=4.75至5.5V 4.5V≤VPFD≤4.75V - M48T58Y：VCC=4.5至5.5V 4.2V≤VPFD≤4.5V。产品采用自含电池和晶体SNAPHAT™DIP封装，包括28针SOIC和SNAPHAT®TOP（需单独订购）。SOIC封装提供直接连接到含有电池和晶体的SNAPHAT外壳的连接，并且兼容JEDEC标准8Kb x 8 SRAM的引脚和功能。

ST M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories 数据手册

M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories PE4 产品具有高性能、低功耗等特点，主要应用于便携式设备、网络、汽车、工业、消费电子等领域。