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MITSUBISHI ELECTRIC MGFC38V5867 说明书

MGFC38V5867是内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.8–6.75 GHz带宽放大器而设计。金属陶瓷封装保证了高的可靠性。

MGFC36V7785A是一种用于7.7-8.5 GHz带放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率，高功率增益，高功率添加效率和低失真等特点。

MGFC36V7177A是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为7.1-7.7 GHz频段放大器而设计。该器件采用密封金属陶瓷封装，可保证高可靠性。

MGFC36V5867是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75GHz频段放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装，可满足Class A工作条件。

MGFC36V3742A是内部匹配的GaAs功率FET，专门设计用于3.7-4.2GHz带宽放大器。产品特性包括：内部匹配到50欧姆系统、高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真。

MGFC47V5864是安森美公司推出的5.8-6.4GHz带内功率晶体管，具有高输出功率、高功率增益和高效率特性，可广泛用于卫星地面站通讯发射机和VSAT。

MGFC45V5964A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.9-6.4 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC45B3436B是Mitsubishi Electric生产的一款射频功率器件，工作频率为3.4-3.6GHz，最大输出功率为30W，输出功率增益为11dB，失真为-45dBc。

MGFC42V5964A是一款内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.9 - 6.4 GHz频段放大器而设计。它具有高可靠性，内部匹配到50欧姆系统，具有高输出功率，高功率增益和高功率附加效率。

MGFC42V3436是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为3.4 - 3.6 GHz频段放大器而设计。该设备采用金属陶瓷封装，具有高可靠性。

MGFC40V6472是6.4 - 7.2 GHz频段功率放大器中使用的内部阻抗匹配的GaAs功率FET

MGFC40V5964是一款在5.9 - 6.4 GHz频段放大器中使用的内部匹配的GaAs功率FET。其具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点。

MGFC39V3436是松下公司生产的内部匹配的GaAs功率晶体管，专为使用于3.4 - 3.6GHz频段放大器而设计。该晶体管采用金属陶瓷封装，具有很高的可靠性。

MGFC36V6472A是由东芝公司生产的一种高功率GaAs晶体管，主要应用于6.4-7.2GHz频段功率放大器。

该文件介绍了一种频率为5.9-6.4 GHz的C波段匹配功率GaAs FET。该器件具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点，适用于5.9-6.4 GHz频段的功放和数字无线通信应用。

MGFC36V5258 是一款 5.2 – 5.8 GHz 带内 4W 的功率 GaAs FET，专为 5.2 – 5.8 GHz 带内放大器而设计。金属-陶瓷封装保证了其高可靠性。

MGFC36V4450A是东芝公司推出的一款GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz频段的功率放大器应用而设计。该产品内部匹配50欧姆系统，具有高输出功率、高增益、高功率附加效率和低失真等特点。

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MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET，设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB，适用于微带电路。

MGF0916A 是 L&S BAND / 0.2W SMD non - matched 系列的产品，它的特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。